Vishay的P沟道功率MOSFET导通电阻低至1.2Ω

　　Vishay的子公司Siliconix incorporated推出一系列新型-150V和-200V P沟道功率MOSFET，这些器件提供了面向有源钳位配置的小型解决方案。

　　这些新型P沟道功率MOSFET基于Siliconix的先进P沟道TrenchFET技术，它们的小型尺寸降低了板级空间要求，从而可在使性能不变的情况下实现更小的整体产品设计。由于P沟道驱动电路比N沟道解决方案更简单，因此，这些新型器件可使设计人员在小型及中型电源转换器中实施成本更低的更小型有源钳位设计。

　　推出的这些功率MOSFET主要面向电信、数据通信和工业产品的DC-DC转换器中的初级端(primary-side)有源钳位电路。凭借其所具有的占位面积和1.2Ω～2.35Ω的导通电阻值，这些功率MOSFET在该领域体现了业界的导通电阻水平。

　　除采用SC-70和SOT-23封装的器件外，Siliconix还正在推出面向同样应用的两款PowerPAK SO-8器件。-150V Si7439DP提供了0.09mΩ的导通电阻值，而-200V Si7431DP的额定电阻值为0.174mΩ。