飞兆半导体的80 V MOSFET
飞兆半导体公司(FairchildSemiconductor)宣布推出采用SO-8封装的80伏N沟道MOSFET器件FDS3572，具备综合的性...
日期：2007-04-29
Fairchild小尺寸互补对称MOSFET
飞兆半导体公司(FairchildSemiconductor)推出最小尺寸的互补对称MOSFET解决方案，为微型“点”功率应用和负...
日期：2007-04-29
瑞萨发布 P沟道功率MOSFET
瑞萨科技公司(Renesas)发布了HAT1125H–30V击穿电压P沟道功率MOSFET，它具有非常低的2.7mΩ(典型值)导通电...
日期：2007-04-29
Renesas 两个功率MOSFET的HAT2210WP
瑞萨科技公司(Renesas)宣布推出具有两个功率MOSFET的HAT2210WP，封装形式是WPAK(瑞萨科技的封装代码)*1高热...
日期：2007-04-29
IR MOSFET及控制芯片组方案
国际整流器公司（InternationalRectifier，简称IR）推出最新芯片组解决方案，适用于多元化的通用电信输入（...
日期：2007-04-29
IR AC-DC同步整流MOSFET
国际整流器公司（InternationalRectifier，简称IR）推出一系列针对AC-DC同步整流和ORing电路的新型75V和100...
日期：2007-04-29
安森美新型低压沟道MOSFET
安森美半导体（ONSemiconductor）推出八款新型N沟道和P沟道、低压沟道MOSFET，进一步丰富了其业内领先的沟...
日期：2007-04-29
IR新型160A D2Pak MOSFET
国际整流器公司（InternationalRectifier，简称IR）近日推出一款新型160A额定电流、七引脚的IRF2907ZS-7PPb...
日期：2007-04-29
IR DirectFET MOSFET芯片组
国际整流器公司（InternationalRectifier，简称IR）近日推出两款新型的30VDirectFETMOSFET同步降压转换器芯...
日期：2007-04-29
Renesas发布5W高频功率MOSFET
瑞萨科技公司宣布推出包括5W输出RQA0002在内的三种高频功率MOSFET，用于手持式无线电设备及类似设备中的传...
日期：2007-04-29
IR推出新型DirectFET MOSFET
国际整流器公司（InternationalRectifier，简称IR）近日推出一款新型60VDirectFET功率MOSFET－IRF6648。该...
日期：2007-04-29
IR推出100V集成MOSFET方案
国际整流器公司（InternationalRectifier，简称IR）近日推出IRF4000型100V器件。该器件将4个HEXFETMOSFET集...
日期：2007-04-29
TI 推出4A高速MOSFET驱动器
日前，德州仪器(TI)宣布推出一款针对N通道互补驱动功率MOSFET的4A高速同步驱动器。该款2MHz驱动器简化了大...
日期：2007-04-29
可实现更小有源箝位的高压P沟道MOSFET
Zetex近日推出一系列新型200V额定P沟道MOSFET器件。新器件采用节省空间的SOT23和SOT223封装，极大地减少了...
日期：2007-04-29
场区寄生MOSFET
当互连铝线跨过场氧区B、C两个扩散区时，如果互连铝线电位足够高，可能使场区表面反型，形成寄生沟道，使本...
日期：2007-04-29
MOSFET的结构及基本工作原理
MOSFET是Metal-Oxide-SiliconFieldEffectTransistor的英文缩写，平面型器件结构，按照导电沟道的不同可以分...
日期：2007-04-29
一款性能的JFET-MOSFET耳机功放
日期：2007-04-29
降压式DC/DC转换器的MOSFET选择
降压式DC/DC转换器的MOSFET选择北京航空航天大学方佩敏同步整流降压式DC/DC转换器都采用控制器和外接功率MO...
日期：2007-04-29
瑞萨用于电池充电器的功率MOSFET
瑞萨用于电池充电器的功率MOSFETRenesasPowerMOSFETsforBatteryChargerRenesas公司功率MOSFET应用发展趋势...
日期：2007-04-29
灵巧功率集成电路中功率MOSFET电流感知方法的研究
灵巧功率集成电路中功率MOSFET电流感知方法的研究郭丽娜，陈星弼1引言20世纪70年代出现了世界性的能源危机...
日期：2007-04-29
适用于PSPICE图形化输入的四端口 MOSFET模型的创建
适用于PSPICE图形化输入的四端口MOSFET模型的创建霍明旭，丁扣宝（浙江大学信息与电子工程学系微电子所，杭...
日期：2007-04-29
安森美 推出新功率MOSFET产品系列
安森美半导体（ONSemiconductor）于2006年6月5日推出便携式应用带来领先效能与设计灵活度的新功率MOSFET产...
日期：2007-04-28
大电流便携式DC/DC变换中MOSFET功耗的计算
摘要：介绍了大电流便携式DC/DC中MOSFET的迭代流程和功耗计算。 关键词：便携式DC/DC；功率损耗；迭代流...
日期：2007-04-28
一种专为IGBT和MOSFET设计的驱动器
摘要：介绍了一种专为IGBT和功率MOSFET设计的电力电子驱动器件——SCALE集成驱动器的性能特点和内部结构 ，...
日期：2007-04-28
新型IGBT/MOSFET驱动模块SKHI22A/B
摘要：SKHI22A/B是德国西门康（SEMIKRON）公司推出的一种新型的IGBT/MOSFET的驱动模块。文章介绍了SKHI22A/...
日期：2007-04-28
具有宽占空因子范围的隔离式 MOSFET 驱动器
，调制方法使人们有可能在很宽的占空因子范围内实现功率 MOSFET 的隔离式栅极驱动电路。 图 1 所示电路...
日期：2007-04-28
起直流稳压（流）电子负载作用的功率 MOSFET
设计人员都用直流电子负载来测试电源，如太阳能阵列或电池，但商用直流电子负载很昂贵。你只要将功率 MOSFE...
日期：2007-04-28
扩展升压稳压器输入、输出电压范围的级联 MOSFET
IC 升压稳压器面向需要将电池电压升高的便携系统应用，它往往有一个能驱动储能电感的输出晶体管。但是，大...
日期：2007-04-28
功率MOSFET并联均流问题研究
摘要：对频率为MHz级情况下功率MOSFET并联均流问题进行了研究，详细分析了影响功率MOSFET并联均流诸因素。...
日期：2007-04-28
RF功率MOSFET产品及其工艺开发
RF 功率 MOSFET的应用是无线通讯中的RF功率放大器。直到上世纪90年代中期，RF功率MOSFET还都是使用硅双极型...
日期：2007-04-18
