场区寄生MOSFET

当互连铝线跨过场氧区B、C两个扩散区时，如果互连铝线电位足够高，可能使场区表面反型，形成寄生沟道，使本不应连通的有源区导通，造成工作电流泄漏，使器件电路性能变差，乃至失效。
预防措施：
（1）增厚场氧厚度t’OX，使VTF，但需要增长场氧时间，对前部工序有影响，并将造成台阶陡峭，不利于布线。采用等平面工艺可以改善这些影响。 （2）对场区进行同型注入，提高衬底浓 度，使V’TF。但注意注入剂量不宜过高，以防止某些寄生电容增大，和击穿电压的下降。
2.7.2 寄生双极型晶体管
2.7.3 寄生PNPN效应 闩锁（Latch-up）效应
寄生PNPN效应又称 闩锁（Latch-up）效应或寄生可控硅（SCR）效应。

补充：什么是晶闸管［晶体闸流管］（Thyristor），别名：可控硅整流器（Silicon Controlled Rectifier—SCR）

1956年美国贝尔实验室（Bell Lab）发明了晶闸管
1957年美国通用电气公司（GE）开发出只晶闸管产品
1958年商业化
开辟了电力电子技术迅速发展和广泛应用的崭新时代，它的出现使半导体器件由弱电领域扩展到强电领域。
20世纪80年代以来，开始被性能更好的全控型器件取代
能承受的电压和电流容量，工作可靠，在大容量的场合具有重要地位
晶闸管往往专指晶闸管的一种基本类型——普通晶闸管广义上讲，晶闸管还包括其许多类型的派生器件

  来源:零八我的爱