瑞萨发布第二代集成驱动器MOSFET（DrMOS）

瑞萨科技发布符合第二阶段产品标准的第二代 “集成驱动器MOSFET（DrMOS）”实现CPU稳压器应用的业界效能 。

 　　与瑞萨科技当前的产品相比，在引脚兼容的同样封装中可降低超过20%的功率损耗— 
　　瑞萨科技公司（Renesas Technology Corp.）宣布，推出采用56引脚QFN封装。该器件集成了一个驱动器IC和两个高端/低端*1功率MOSFET的R2J20602NP，可用于PC、服务器等产品的CPU稳压器（VR）。
　　R2J20602NP符合英特尔公司提议的“集成驱动器MOSFET（DrMOS）”封装标准（以下称作“DrMOS”）。它集成了一个驱动器IC和两个高端/低端开关电源MOSFET。R2J20602NP是瑞萨科技继代的R2J20601NP支后开发的第二代DrMOS标准兼容产品，也是在工艺和封装结构方面进行了改进的更高性能的第二代产品。 
　　R2J20602NP的特性总结如下。
（1）40A的输出电流
　　40A的输出电流——代表了业界的性能——采用瑞萨科技的高性能功率MOSFET技术、新开发的高辐射/低损耗封装，以及专为功率MOSFET性能而优化的高速驱动器IC。这些技术支持需要大电流的CPU、FPGA和存储器等电子元件。
（2）与当前的瑞萨产品相比，功率损耗降低20%以上
　　当工作在1MHz开关频率时，其大约为89%的效率实现了业界水平（Vin = 12V，Vout = 1.3V）。其输出电流为25A，功率损耗为4.4W——业界的水平——比瑞萨当前的R2J20601NP低至少20%。使用R2J20602NP有助于实现高效的电源配置，并抑制散热量，从而开发出一个节能的终产品。
（3）小型封装与代产品引脚安排兼容
　　其封装与瑞萨当前的R2J20601NP引脚安排兼容。8×8×0.95（mm）的小型56引脚QFN封装适用于高速交换，有助于使用更小的外部电感器和电容器等无源元件，并可减少元件数量。这将使VR变得更小。 
    <产品背景> 
　　随着因特网等宽带应用的不断增长，PC和服务器需要处理更大的信息量并提供越来越先进的功能。与这个要求一致，CPU、FPGA和存储器等电子元件越来越需要更低的电压和更大的电流，而且要求电源具有快速响应、更低的电压和更大的电流，以及更高效率和更小的尺寸等方面的能力。 
　　作为增加VR频率和效率的关键器件，瑞萨科技及时发布了分立式高性能功率MOSFET和公司代的DrMOS兼容产品R2J20601NP。 
　　然而，在刀片服务器*2、硬盘设备等领域出现了全面产品小型化和密度改善方面的迫切需求，使电源电路变得更小，同时具有更低的损耗和发热量特点非常重要。因此，低损耗性能的主要改进是构成电源电路关键元素所需的功率器件。为了满足这样的市场需求，瑞萨科技现在开发出了其第二代的DrMOS兼容产 R2J20602NP，实现了超过公司当前产品20%的更低的损耗。 
    <其他产品细节> 
　　R2J20602NP在56引脚QFN封装中集成了两个功率MOSFET和一个驱动器IC（一个高端MOSFET和一个低端MOSFET）。单封装设计有助于大幅度降低器件之间的布线寄生电感*3，使R2J20602NP适用于高频操作。瑞萨科技用在这个产品中的功率MOSFET可提供业界的性能。低端MOSFET集成了肖特基势垒二极管，可以减少开关损耗，驱动器IC专门用来优化MOSFET的通/断控制。 
　　该封装采用无铅高辐射类型小安装面积封装，符合英特尔公司提出的DrMOS封装标准。的封装尺寸为8×8×0.95（mm），封装内采用的是无线铜板构造（copper plate construction）内部连接，可大幅度降低阻抗。占用了封装背面大部分表面的引脚可以增加电流路径，有助于处理电流和散热问题。 
　　新型R2J20602NP第二代DrMOS兼容产品是专门为12V输入的低电压输出应用优化的，例如，在f = 1MHz，Vin = 12V，和Vout = 1.3V的条件下，可实现业界约89%的效率水平。高速运行可使外部无源元件更小，元件数量更少，从而减小电源的尺寸。 
　　瑞萨科技计划进一步开发满足更低损耗的产品，扩展其高性能产品阵容。