DRAM的CAS先于RAS有效刷新
在惟RAS有效刷新的操作中，DRAM控制器必须知道个别的DRAM具有多少刷新地址，这是非常...
日期：2008-11-21
DRAM的惟RAS有效刷新
正如在DRAM的存取操作中所说明的，如果进行DRAM的读操作，则因为读出放大器的输出被返...
日期：2008-11-21
DRAM的读／写操作
DRAM基本的存取操作如图所示，结合RAS及OAS的有效，分割为行地址和列地址赋予地址。进行读操作时，如果在这...
日期：2008-11-21
DRAM的基本信号
DRAM从最初时期的产品至今所利用的信号类型如图所示。DRAM的主导产品已经逐步移向与时钟同步的同步DRAM及Di...
日期：2008-11-21
DRAM的读出放大器的连接与读出
在利用读出放大器结束放大的过程中，读出放大器的输出与数据线相连接，如图所示。读出放大器的输出被连接，...
日期：2008-11-21
DRAM的数据的提取与放大
只要完成了预充电，预充电开关就处于OFF状态。之后，选择数据线，一旦FET为ON，特定单元的电容器与寄生电容...
日期：2008-11-21
DRAM的数据线的预充电
图表示可以说是读取DRAM之前的准备状态，数据线与预充电电源相接，将数据线的电压设置为预充电电压，数据线...
日期：2008-11-21
DRAM内部电路
DRAM单元部分的布线如图所示，具有用于单元选择的字线，并且各个单元与数据线相连。数据线通过列选择开关或...
日期：2008-11-21
DRAM的电容器的设计
因为电容器的容量不能无限小，所以既要进行小型化处理又要保持其容量是DRAM高集成化的重点。基本电介质的介...
日期：2008-11-21
DRAM的软错误
如果为了提高DRAM的存储容量而提高集成度，那么当然要减少连接到FET的电容器的容量，所以用于存储的电荷量...
日期：2008-11-21
DRAM的单元结构刷新
当DRAM的电容器存储了电荷时，对于FET来说，形成反偏置状态，必然会发生漏电流，图1中图示了这一点。因为在...
日期：2008-11-21
DRAM单元结构的概况
图对DRAM单元结构进行了较为详细的描述，这是平面式的最基本的结构，在1MB的DRAM占据主导地位之前一般都是...
日期：2008-11-21
DRAM的单元结构
DRAM单元的基本结构如图所示，负责数据存储的是图中的电容器，根据是否存储电荷来判断数据的“0”、“1”。...
日期：2008-11-21
基于SRAM和DRAM结构的大容量FIFO的设计
１ 引言 ＦＩＦＯ（Ｆｉｒｓｔ Ｉｎ Ｆｉｒｓｔ Ｏｕｔ）是一种具有先进先出存...
日期：2008-08-30
揭密DRAM阵列架构 — 8F2 vs. 6F2
由于DRAM价格的持续下跌及许多制造商经历着财务困难，只有创新和积极进行工艺升级才能确保公司的成功。而DR...
日期：2008-08-26
片上SDRAM控制器的设计与集成
本文介绍了SDRAM控制器IP核的设计、电路的功能仿真、综合以及验证等过程,其中重点讨论了该控制器的接口设计...
日期：2008-08-16
基于当代DRAM结构的存储器控制器设计
1、引言当代计算机系统越来越受存储性能的限制。处理器性能每年以60％的速率增长，存储器芯片每年仅仅增加1...
日期：2008-08-12
SDRAM接口的VHDL设计
RAM（随机存取存储器 是一种在电子系统中应用广泛的器件，通常用于数据和程序的缓存。随着半导体工业的发...
日期：2008-06-16
WEDC推出面向处理器的2Gb DDR SDRAM多芯片封装
WhiteElectronicDesigns公司(WEDC)宣布推出一款容量为2Gb的32M×72DDRSDRAM。作为WEDC高密度双倍数据率(DDR...
日期：2008-06-02
Altera 支持JEDEC DDR3 SDRAM标准的FPGA
Altera公司宣布，第一个在FPGA业界实现了对高性能DDR3存储器接口的全面支持。在最近通过的JESD79-3JEDECDDR...
日期：2008-06-02
奇梦达首款512Mb XDR DRAM样品开始发货
奇梦达公司(Qimonda)宣布已开始向客户供应首款512MbXDRDRAM的样品。XDR(ExtremeDataRate)内存解体决方案扩...
日期：2008-01-31
FPGA与DDR3 SDRAM的接口设计
DDR3SDRAM内存的总线速率达到600Mbpsto1.6Gbps(300to800MHz)，1.5V的低功耗工作电压，采用90nm制程达到2Gbi...
日期：2007-12-21
ST 推出的DRAM内存模块标准专用温度传感器
高性能模拟器件和混合信号产品的主导厂商之一的意法半导体（纽约证券交易所：STM)推出两款高精度专用数字温...
日期：2007-12-20
05年DRAM芯片销售排名三星仍保持
据著名市场调研机构Gartner公司最新公布的调查数据显示，2005年全球DRAM储存芯片的销售收入比上年下滑了5%...
日期：2007-12-20
三星新开发出70nm工艺DDR2 SDRam存储芯片
三星电子公司宣称，他们开发研制出了全球第一款使用70nm工艺生产的512MbDDR2SDRam存储芯片，这也是目前存储...
日期：2007-12-18
Elpida推出一款节能型1.8V、256Mb SDRAM
Elpida存储器公司为需要低功率和高密度的电池供电产品推出一款256Mb SDRAM，工作电压...
日期：2007-12-18
赛灵思推出首款667Mbps的DDR2SDRAM接口解决方案
赛灵思(Xilinx)宣布，推出基于Virtex-4FPGA的667MbpsDDR2参考设计。据称，该参考设计提供了FPGA业界带宽最...
日期：2007-12-12
ISSI推出首颗128M中低密度DDR DRAM
IntegratedSiliconSolution公司(ISSI)日前宣布推出其首颗128Mb的DDRDRAM芯片IS43R32400A。该芯片工作电压为...
日期：2007-12-12
利用FPGA解决TMS320C54K与SDRAM的接口问题
在DSP应用系统中，需要大量外扩存储器的情况经常遇到。例如，在数码相机和摄像机中，为了将现场拍摄的诸多...
日期：2007-12-12
飞利浦新型DDR2寄存器优化DIMM负载，每模块提供多达36个DRAM
飞利浦(Philips)日前针对高端服务器及先进计算的存储密集型应用，推出新型高速寄存器系列SSTU3286*。该系列...
日期：2007-12-11
