Hynix推出512M容量GDDR4 DRAM，每秒处理11.6GB数据
HynixSemiconductor公司日前宣布推出据称是世界上速度最快、密度最高的图形存储器——512Mb容量的第四代图...
日期：2007-12-11
飞利浦新型DDR2寄存器优化DIMM负载 每模块提供多达36个DRAM
飞利浦(Philips)日前针对高端服务器及先进计算的存储密集型应用，推出新型高速寄存器系列SSTU3286*。该系列...
日期：2007-12-07
W3EG2128M72AFSR:2GB DDR SDRAM（图）
White电子设计公司推出带PLL的2GBDDRSDRAM基于FBGA器件的存储器模块W3EG2128M72AFSR.该器件是基于512MbDDRS...
日期：2007-12-07
支持Altera Stratix II的DDR2 SDRAM接口开始提供
Altera与NorthwestLogic宣布为Altera的高密度StratixII与StratixIIGXFPGA，提供经过硬件验证的667-MbpsDDR2...
日期：2007-12-06
三星开发出512M的DDR2 SDRam存储芯片
韩国电子巨头三星电子公司日前宣称，他们开发研制出了全球第一款使用70nm工艺生产的512MbDDR2SDRam存储芯片...
日期：2007-12-05
Elpida基于双栅晶体管的DRAM速率达1,333Mbps
ElpidaMemory日前推出新一代存储器，适用于如笔记本、台式电脑及服务器等计算机应用。其最新的512MbDDR3SDR...
日期：2007-12-04
Elpida的256Mb DDR2 SDRAM速率高达800Mbps
Elpida公司近日发布了面向高端PC市场设计的，工作速率高达800Mbps的256Mb DDR2 SDRAM的样品。这种DDR2 SDRA...
日期：2007-12-04
海力士推新款手持装置用DRAM
根据富比世（Forbes）报导，韩厂海力士（Hynix）推出运作时脉达200Mhz的利基型手持装置用DRAM，号称速度较...
日期：2007-12-04
NEC电子开发出40纳米DRAM混载系统LSI 混载工艺技术
NEC电子近日完成了两种线宽40纳米的DRAM混载系统LSI工艺技术的开发，使用该工艺可以生产最大可集成256MbitD...
日期：2007-12-03
尔必达宣布量产70纳米制程DRAM芯片
据路透（Reuters）与BusinessWire报导，日本内存大厂尔必达（Elpida）正式宣布量产70纳米制程的DRAM，其中...
日期：2007-11-30
ST推出的DRAM内存模块标准专用温度传感器
高性能模拟器件和混合信号产品的主导厂商之一的意法半导体（纽约证券交易所：STM)今天推出两款高精度专用数...
日期：2007-11-27
意法推出的DRAM内存模块标准专用温度传感器
高性能模拟器件和混合信号产品的主导厂商之一的意法半导体(ST)日前推出两款高精度专用数字温度传感器芯片，...
日期：2007-11-27
三星667Mbps DDR2 DRAM优化单核及双核处理器性能
三星电子的667Mbps双倍数据率2(DDR2)DRAM存储器带宽比目前市场上最快的主存储器还宽25%。这款667Mbps双倍数...
日期：2007-11-26
Hynix新款1Gb GDDR5绘图DRAM面向高清图像应用
海力士半导体(Hynix Semiconductor Inc.,)宣布推出1Gb GDDR5绘图DRAM，工作带宽为5Gbps，32位I/O通道，数据...
日期：2007-11-26
WEDC推出带锁相环的FBGA封装512MB DDR SDRAM
WhiteElectronicDesigns公司(WEDC)推出FBGA封装、带锁相环(PLL)的非缓存512MBDDRSDRAM。这是一款2×32M×64...
日期：2007-11-26
ISSI推出首颗128M中低密度DDR DRAM..
IntegratedSiliconSolution公司(ISSI)日前宣布推出其首颗128Mb的DDRDRAM芯片IS43R32400A。该芯片工作电压为...
日期：2007-11-23
美光科技发布捆绑NAND闪存的1Gb移动DRAM内存芯片
美光科技公司(MicronTechnology,Inc.)在3GSM世界大会上，面向拥有多媒体和计算功能的高端移动电话发布了新...
日期：2007-11-20
台积电称xbox360已采用90纳米dram芯片
8月19日消息，据外电报道，全球最大的芯片代工厂商台积电日前表示，微软已经开始在其Xbox360视频游戏机生产...
日期：2007-11-20
海力士开发出高速小型移动终端用1GbDRAM
韩国海力士半导体(HynixSemiconductor)开发成功了用于小型高速移动终端的1Gbit移动DRAM。预定2008年第1季度...
日期：2007-11-19
FormFactor发表DRAM晶圆探针卡PH150XP
FormFactor发表PH150XP晶圆探针卡，扩展其PH150系列DRAM晶圆测试产品的阵容。PH150XP探针卡提供多项良率与...
日期：2007-11-16
海力士半导体DRAM产品获得 ISi存储技术授权
海力士已经同意在其动态随机存储器(DRAM)芯片中采用ISi的Z-RAM技术。采用Z-RAM的DRAM将使用一种单晶体管位...
日期：2007-11-15
80C186XL嵌入式系统中DRAM控制器的CPLD解决方案
摘要：介绍怎样在嵌入式CPU 80C186XL DRAM刷新控制单元的基础上，利用CPLD技术和80C19...
日期：2007-11-14
Elpida推出首款1GB容量70纳米DDR2 SDRAM芯片
日本存储芯片制造商Elpida储存公司日前宣布，公司已经开始大规模生产基于70纳米制造工艺的1GB和512MB储存容...
日期：2007-11-13
ST推出DRAM内存模块标准专用温度传感器STTS424
ST推出两款高精度专用数字温度传感器芯片，新产品完全符合个人计算机双列直插内存模块（DIMM）的温度监测标...
日期：2007-11-13
基于SRAMDRAM的大容量FIFO的设计与实现
1引言FIFO(FirstInFirstOut)是一种具有先进先出存储功能的部件。在高速数字系统当中通常用作数据缓存。在高...
日期：2007-10-29
高速嵌入式视频系统中SDRAM时序控制分析
摘要：在高速数字视频系统设计中，SDRAM信号时序问题至关重要。本文在AVIA9700数字电视接收机方案基础上，...
日期：2007-10-19
ST推出DRAM内存模块标准专用温度传感器
意法半导体推出两款高精度专用数字温度传感器芯片，新产品完全符合个人计算机双列直插内存模块（DIMM）的温...
日期：2007-10-10
意法半导体推出新的DRAM内存模块标准专用温度传感器
高性能模拟器件和混合信号产品的主导厂商之一的意法半导体（ST)推出两款高精度专用数字温度传感器芯片，新...
日期：2007-09-30
ST 推出DRAM内存模块标准专用温度传感器
意法半导体（ST)今天推出两款高精度专用数字温度传感器芯片，新产品完全符合个人计算机双列直插内存模块（D...
日期：2007-09-29
基于FPGA 的DDR SDRAM控制器在高速数据采集系统中应用
实现数据的高速大容量存储是数据采集系统中的一项关键技术。本设计采用Altera 公司Cyclone系列的FPGA 完成...
日期：2007-09-27
