相同类型阱之间的穿通效应

穿通效应（Reach-Through Effect）。当两个与衬底的掺杂类型不同的阱相邻时，穿通效应的影响就会...

日期：2008-12-02阅读：3242

寄生双极型晶体管闩锁效应的影响

闩锁效应（Latch-Up Effect）。在N阱与P阱接触的地方存在着发生闩锁效应的危险。如图1中所示，存...

日期：2008-12-02阅读：7955

集成横向PIN光电二极管

图1中介绍了一种在轻掺杂的P型衬底（Na=6x1012cm-3）上采用1pm NM0S工艺制作的横向PIN光电二极管...

日期：2008-12-02阅读：3881

空间调制光电探测器

一种利用标准CMOS工艺实现的旨在消除缓慢载流子扩散对探测器频率响应产生影响的空间调制光电探测...

日期：2008-12-02阅读：2764

工艺参数下光电探测器的器件模拟

图1 TSMC 0.35pm CMOS工艺参数下光电探测器的器件模拟　　图1（a）模拟了工作二极管响应电流与...

日期：2008-12-02阅读：2917

二维器件模拟光电探测器的结构

图1给出了在器件模拟软件Atlas中输入的器件结构、外加电压示意图和经二维模拟得出的pn结的位置和...

日期：2008-12-02阅读：2044

光电P型叉指结构二极管

CMOS光电探测器的响应时间较慢是高速光电接收器单片集成的主要障碍。由于硅对波长肛638 nm吸收深...

日期：2008-12-02阅读：2281

双光电二极管（DPD）

N+-P衬底结构中的P型掺杂浓度一般大于1016 cm-3，造成pn结空间电荷区，也就是光生载流子漂移区的...

日期：2008-12-02阅读：4403

LD发射机实例

图1所示为国内东南大学设计的一种LD发射机原理图。其发光部分LD采用VCSEL激光器，实现了单片集成...

日期：2008-12-02阅读：2784

典型的LD光发射机

典型的LD光发射机框图如图1所示。主要包括如下。　　（1）激光二极管：LD器件设计和制作，在第2...

日期：2008-12-02阅读：3823

基于硅基CMOS工艺的集成光电探测器

CM0S工艺是最为重要的微电子制造技术，具有廉价、可批量制造、成品率高等优点。早期的CMOS工艺通...

日期：2008-12-01阅读：3975

LED发射器

对LED和LD的特性进行比较可以知道：对于LD来说，它具有输出功率大、光谱窄、能够达到较高的调制...

日期：2008-12-01阅读：3242

集成光电探测器彩色传感器

图1给出了一种基于透射深度相关的强波长全硅彩色传感器结构阳。彩色传感器与所必需的电信号处理...

日期：2008-12-01阅读：2253

紫外（UV）光探测器

在燃烧监视等工业应用场合，需要某一个特定的对光谱特别敏感的光电探测器，在此光谱范围内，火焰...

日期：2008-12-01阅读：3524

光电晶体管

基区－集电区pn结面积被扩大了的NPN晶体管显然可以被用做光电晶体管，结构如图1所示［40］。　　...

日期：2008-12-01阅读：4545

集电极形成的PIN光电二极管

在不对工艺做任何修改的情况下，N＋埋层集电极可以被用做光电二极管的阴极，N型外延集电区可用做...

日期：2008-12-01阅读：3617

双极工艺光电二极管

图1中给出了一种基于标准双极工艺的N+-p型光电二极管[36]，其中的N+区是由N+埋层以及插入的N+集...

日期：2008-12-01阅读：2367

基于硅基双极型工艺的光电探测器

目前，长距离通信用的光接收器探测器都是用III-V族化合物材料制作的，其传输速率已经超过了40Gb/...

日期：2008-12-01阅读：1888

光电探测器响应度随波长变化曲线

在功率为15 W疝灯背入射下，测得光谱响应曲线如图1所示，峰值响应波长为286 nm，适合在太阳盲区...

日期：2008-12-01阅读：7169

GaN PIN光电探测器结构

为了提高工作速度和响应度，往往采用PIN结构。PIN结构GaN紫外光电探测器具有以下优点：（1）由于...

日期：2008-12-01阅读：4921

GaN基肖特基结构紫外光电探测器

GaN光电导型探测器的缺点是光电导的持续性，即光生载流子不会随入射光的消失而立刻消失，此效应...

日期：2008-12-01阅读：4065

采用Si衬底利用AIN做缓冲层的光导型探测器

Khan等人[25]在1992年报道了支高质量GaN材料光电导探测器，它以蓝宝石为衬底通过金属有机化学气...

日期：2008-12-01阅读：2018

光电MSM探测器

MSM是一种平面结构，结构简单，易于和场效应管单片集成实现OEIC光电子集成回路。如图1所示。未掺...

日期：2008-12-01阅读：3927

光电SAM-APD探测器

载流子在倍增过程中会引起隧穿电流使APD噪声显著增加，特别是当倍增区的禁带宽度较窄时，这种隧...

日期：2008-12-01阅读：6308

雪崩光电探测器结构和能带

在波长为1.55 gm的长波长区域，由于锗光电探测器遇到暗电流较大等问题，人们便转向使用InP基材料...

日期：2008-12-01阅读：3821

光电探测器多量子阱MQW结构APD

由于51的电子空穴离化率之比很高，用它制作的的雪崩二极管噪声低，暗电流小。同时人们对51的特性...

日期：2008-12-01阅读：6019

光电APD探测器

虽然PIN结构通过扩展空间电荷区有效地提高了工作速度和量子效率，但是它无法将光生载流子放大，...

日期：2008-12-01阅读：5023

光电探测器结构示意图

四元化合物In1-X，GaXAs1-yPy可以通过在InP衬底上外延生长而获得良好的晶格匹配。通过优化艿和y...

日期：2008-12-01阅读：8668

光电PIN探测器

尽管这一材料体系的PIN通常只含有AlGaSb，但掺杂少量的砷能减少晶格失配。该材料用LPE方法在350...

日期：2008-12-01阅读：6542

光电探测器异质结

图1（a）是一个典型的异质结PIN［13］，P型和N型区域均为InP，本征层In1 ，Ga，As生长在N型InP衬...

日期：2008-12-01阅读：2728