载流子在倍增过程中会引起隧穿电流使APD噪声显著增加，特别是当倍增区的禁带宽度较窄时，这种隧穿电流变得相当可观，严重影响了APD的噪声特性。为了减小这种隧穿电流，人们设计了一种将吸收区和倍增区分开（Separate Absorption and Multiplication，SAM）的雪崩二极管，如图1（a）所示囫。和图1（a）一样，该结构表面也是一层透明的InP层，所不同的是它含有InP的pn结，同时只含一层InGaAsP吸收层并无InGaAsP的pn结。其电场分布如图1（b）所示，我们发现InP pn结区域电场，而InGaAsP层的电场较小。因此在InGaAsP中只吸收入射光产生光生载流子并不发生雪崩电离效应，只有当光生载流子被耗尽区电场扫向InP pn结区域时才在强电场作用下发生雪崩倍增效应。由于隧穿电流随禁带宽度的增加呈指数下降，InP的禁带宽度大于InGaAsP禁带宽度，所以这种结构的隧穿电流大大减小了。
图1 SAM-APD
欢迎转载，信息来源维库电子市场网（www.dzsc.com）
免责声明: 凡注明来源本网的所有作品，均为本网合法拥有版权或有权使用的作品，欢迎转载，注明出处。非本网作品均来自互联网，转载目的在于传递更多信息，并不代表本网赞同其观点和对其真实性负责。
