紫外（UV）光探测器

　　在燃烧监视等工业应用场合，需要某一个特定的对光谱特别敏感的光电探测器，在此光谱范围内，火焰发射的光比2 000 K温度下的背景辐射（例如黑体辐射）要强得多。通常在波长肛250～400 nm的紫外光谱范围内，火焰的光发射要远远大于来自背景的热辐射。

　　硅基光电二极管在紫外光谱范围内一般来说量子效率偏低，然而，从成本、速度及信噪比等角度考虑，迫切需要将探测器和电子电路在硅基工艺下单片集成。目前已采用双极工艺实现了如图1所示结构的集成UV传感器［41］。浅P卜和N＋注入区形成的耗尽区非常接近芯片表面，注入光子在这个区域里被吸收并产生光生载流子。注入N＋和P＋区域的深度并不是标准的，为了在同一晶圆上将UV光电探测器和接口电路集成而且不影响模拟电路器件的电学性能，在制作过程中增加了低热预算和快速热退火等工艺。

　　这种P+-N＋型UV敏感光电二极管制作在NPN晶体管的岛型基区内，该区由A（p电极接出（如图1所示）。由基区和附加的N＋区形成的二极管是用来削减透射更深的绿色、红色及红外等成分的光对光生电流的影响。阳极电流被用做紫外光产生的信号电流，而长波长光产生的流向阴极和AIR极的光生电流并不会对整个传感系统造成影响。

　　图1 双极工艺集成UV敏感光电二极管

　　在燃烧监视的应用中，这种UV集成光电探测器的光生电流变化范围从20pA～1nA。它采用TO5型封装形式，并使用聚焦透镜将紫外光汇聚在面积tmm＇左右的八边型探测器表面。同时，在探测器表面还增加了一层玻璃滤波薄膜用做光的带通滤波。

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