光电PIN探测器

　　尽管这一材料体系的PIN通常只含有AlGaSb，但掺杂少量的砷能减少晶格失配。该材料用LPE方法在350～500＇C温度下生长在GaSb衬底上，较低的温度用来生长重掺杂P型，较高的温度用来生长N型，′通过用掺碲和掺锗的方法来实现N型和P型掺杂。

　　支该材料的二极管如图1（a）所示［14］，它具有GaSb/AlGaSb异质结构，量子效率达到了54%，响应波长为1 ptm到1.7 ptm。通过在异质结间加一层本征AlGaSb层实现PIN结构如图1（b）所示，同时响应波长降到了1.3 gm。图1（c）所示结构的本征层由两种不同组分AlGaAsSb层构成，这种平面结构和保护环增大了击穿电压，减小了暗电流。图1（d）是这些不同结构的波长响应曲线，同时绘制出了上节中InGaA/lnP结构波长吸收曲线。这些AlGaAsSb光电探测器的主要问题是暗电流较大，在表面会有较大漏电流，。因此现在已逐渐被InGaAs/InGaAsP材料所取代。

　　图1  AlGaAsSb光电探测器

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