SEED列阵设计与制备
1． 1×20 SEED列阵 SEED智能像素集光探测器、光调制器和逻辑功能电路于一体，SEED器件是智能...
日期：2008-12-03阅读：1779
光反射谱测量
我们采用了MBE技术生长多量子阱结构，衬底材料为半绝缘GaAs。在生长时先在半绝缘衬底上生长一层N...
日期：2008-12-03阅读：1528
常关型量子阱结构设计
一般常关型SEED器件的量子阱数目都取50个左右，图1和图2分别是常关型器件量子阱结构和计算的反射...
日期：2008-12-03阅读：1552
常通型器件量子阱结构设计
对于常通型器件，要获得高态反射率大于50％，低态反射率接近为零的器件，量子阱数目需75～100对...
日期：2008-12-03阅读：2558
SEED列阵研制适合于倒装焊结构的量子阱外延材料
1．量子阱结构设计 多量子阱吸收区的设计主要应考虑阱宽、垒宽、阱深和阱的数目的选取。吸收...
日期：2008-12-03阅读：2631
顶注入对称相位调制器结构
为了在半导体中实现载流子注入，我们需要在器仵中建立电流通路。最简单的办法就是·利用pn结。因...
日期：2008-12-03阅读：1576
光小目位调制器位移电流方程
对于时域模拟，位移电流需要进行计算和保存。位移电流的表达式为进行求解之前，需要对拟解决的问...
日期：2008-12-03阅读：1884
光小目位调制器漂移-扩散模型
根据玻耳兹曼传输方程，载流子连续性方程中的电流密度可以通过漂移－扩散模型来表达。在这种情况...
日期：2008-12-03阅读：2150
SEED智能像素制备工艺
根据国内CMOS工艺和倒装焊接的技术水平及所研制的SEED列阵特点，本课题组设计出CMOS－SEED智能像...
日期：2008-12-03阅读：2246
SEED智能像素总体设计
本文组借鉴国外并行光互连链路的经验，应用一维线阵结构的SEED智能像素，将4×4 SEED智能像素制...
日期：2008-12-03阅读：1873
SEED智能像素器件的工作原理
SEED器件利用超晶格量子阱二维自由激子吸收在外电场作用下的非线性变化，通过外部反馈元件的正反...
日期：2008-12-03阅读：1515
SEED智能像素器件的物理基础
随着分子束外延（MBE）和金属有机物化学气相淀积（MOCVD）技术的成熟与发展，可以在半导体衬底上...
日期：2008-12-03阅读：1628
智能像素的应用
由于微光电子集成智能像素集光子集成器件和超大规模集成电路于一体，同时具有光信号探测、调制、...
日期：2008-12-03阅读：1752
器件建模光小目位调制器
件建模的目的就是在一定的限定条件下，通过模拟优化，使器件性能满足我们的要求。因为器件的特性...
日期：2008-12-03阅读：1832
VCSEL智能像素
垂直腔面发射激光器（Vertical－CavitySurface－EmittingLaser，VCSEL）及其阵列是一种新型的半...
日期：2008-12-03阅读：1937
光小目位调制器
对于硅来说，最有效的电光调制方法是利用自由载流子的注入和耗尽。利用这个效应我们可以做成光强...
日期：2008-12-03阅读：1509
SEED智能像素
半导体多量子阱自电光效应器件是20世纪80年代后期迅速发展起来的一种新颖的光电混合型光逻辑开关...
日期：2008-12-03阅读：1808
智能像素对光子集成器件的要求
智能像素是将高密度的光子集成器件与大规模集成电路进行集成，构成具有实用价值的光电子集成系统...
日期：2008-12-03阅读：1350
微光电子集成智能像素概述
智能像素是一种对输入光信息具有自主处理能力，经内部光子回路或电子电路处理后，再以光波形式输...
日期：2008-12-03阅读：1531
硅基电光F-P结构调制器示意图
F-P结构[18]：如图1所示。通过F－P腔形成选频结构｀透射峰值频率相应发生变化，从而实现对所用光...
日期：2008-12-03阅读：2291
硅基电光调制器Mach-Zehender结构
Mach-Zehender结构：通过M－Z结构，改变其中一臂或两臂折射率，使其产生折射率差，进行相位调制...
日期：2008-12-03阅读：2236
硅基电光调制器分类
从电学结构分，可分为 （1）PIN结构：通过PIN［15］结构的正偏或反偏来实现载流子的注入或耗...
日期：2008-12-03阅读：3489
波导SOl化学气相沉积工艺特点
对于SOl波导来说，CVD技术一般用来淀积其上包层，通常为二氧化硅或氮化硅。对于调制器等有源器件...
日期：2008-12-03阅读：1473
波导SOl刻蚀工艺特点
刻蚀即通过物理或化学的方法去除非光刻胶或硬掩膜覆盖区域的材料。通常有两种方法，分别为干法刻...
日期：2008-12-03阅读：1404
波导SOl光刻工艺特点
脊形光波导的尺寸主要是由光刻工艺决定的。光刻受周围环境、设备条件等影响较大；所以，要保证光...
日期：2008-12-03阅读：1565
波导SOl硅外延生长工艺特点
对于大截面的SOl光波导来说，顶层硅的厚度不一定能满足要求。这时候就需要外延生长一定厚度的硅...
日期：2008-12-03阅读：1440
基片的SOl智能切割
将SIMOX和BESOI的步骤结合起来就形成了智能切割。将注入剂量为1017/cm2的氢离子注入到热氧化的基...
日期：2008-12-03阅读：1386
基片的SOl背部刻蚀和键合
将两种亲水表面（如二氧化硅）紧密接触可以形成很强的键合。这种现象使BESOI法在20世纪70年代就...
日期：2008-12-03阅读：1654
基片的SOl氧注入分离法
氧注入分离法是将大量的氧离子注入到单晶硅片表面一层薄膜之下，对于大批量生产很有意义。虽然其...
日期：2008-12-03阅读：1492
SOl基片的制备
绝大部分的硅光子器件选择SOl材料来做平台。而我们通常用的SOl材料选择硅的良好氧化物二氧化硅来...
日期：2008-12-03阅读：1497
