差传递分析计算的微分法
仪器的输出和各作用件的参数之间的关系如果能用数学关系表达,称这种关系式为作用方程式或仪器方...
日期:2008-12-06阅读:1339
仪器的误差来源
仪器的误差来源可以分为原理误差、制造误差和运行误差三大类。 (1)原理误差 原理误差由...
日期:2008-12-06阅读:4464
仪器分析和设计的内容和意义
①精度分析:根据仪器的工作原理、结构、制造工艺和使用条件来分析和综合仪器的误差,这个过程称...
日期:2008-12-06阅读:1744
名词定义
①准确度(correctness)表示测量结果中系统误差大小的程度,是指在规定的条件下计量仪器的示值...
日期:2008-12-06阅读:1414
信号转换原理的选择
仪器设计中信号转换原理的选择很重要,几乎任何一种新发现的物理现象和新技术的出现都会给计量技...
日期:2008-12-06阅读:1800
设计任务与信号转换
(1)对社会需求的分析研究任何工业产品发展的前提都是社会的需求,所以在发展一种新产品之前应...
日期:2008-12-06阅读:1171
相位式光电显微镜
相位式光电显微镜主要用于静态瞄准,因此也称静态光电瞄准显微镜。 (1)结构与工作原理 ...
日期:2008-12-06阅读:2008
显示器的设计布置区的划分及其优先次序
显示器的布置应首先考虑视区,其次是良好视区,考虑视区。即使在同一视区也要考虑眼睛的水平运动...
日期:2008-12-06阅读:1852
显示装置的设计
1.显示器的设计 视觉显示装置有数字式和模拟式两类。数字显示装置直接用数码来显示有关的状...
日期:2008-12-06阅读:1629
光电系统的组元
1.辐射源和传输介质通常辐射源可以分为天然光源和人造光源两种。地面辐射、大气辐射、宇宙辐射...
日期:2008-12-06阅读:1558
光电系统的构成
光电系统种类繁多,按系统工作的光谱区域,可分成紫外光、可见光和红外光三大类光谱区工作光电系...
日期:2008-12-06阅读:3329
LED数码管的检修
(1)LED数码管不亮产生此故障的原因可能有:1)变压器损坏、引线断开或虚焊。若变压器损坏,则...
日期:2008-12-04阅读:3114
单片光电子集成技术
单片集成就是在将集成电路和光电子器件制作在同一材料上,将微电子与光电子技术的优势相互结合,...
日期:2008-12-04阅读:1826
混合光电子集成技术
混合集成的光电子集成回路中光子器件和电子器件根据各自器件的材料结构和制作工艺的不同分别制作...
日期:2008-12-04阅读:1458
腐蚀控制模式波长
镀膜的方法虽然也可以移动模式波长,但由于顶部反射率的降低,ASFP腔的谐振...
日期:2008-12-04阅读:1262
镀膜控制模式波长
我们所用的膜层材料为SiNO系材料,图1为镀SiN膜所得的实验结果。曲线1为镀...
日期:2008-12-04阅读:1644
LED数码显示器的工作原理
LED数码显示器由发光二极管(LED)构成“日”字型或“田”字型,发光二极管由磷砷化镓或碳化硅等...
日期:2008-12-03阅读:7137
数码显示器与电平显示器
为了便于操作人员了解自动化系统的运行工况,必要的显示设备是必不可少的。显示设备包括模拟显示...
日期:2008-12-03阅读:2947
偏离内脊侧壁的距离对载流子密度的影响
我们假定几个偏移距离,分别为0.25μm、1μm和4μm,并给出模拟结果,如图1所示。 图1 N+区...
日期:2008-12-03阅读:1472
N+和P+区的深度对载流子密度的影响
N+和P+区的深度对载流子密度的影响可以模拟出来,但是如果P+区延伸较深的话就会深入到光场区,从...
日期:2008-12-03阅读:1971
脊宽和脊高对载流子密度的影响
首先考虑脊高对注入载流子密度的影响。我们这里考虑到脊高是图1中刻蚀掉的深度矽。为了保证单模...
日期:2008-12-03阅读:1683
光小目位脊形光波导基模调制器
在正向注入的情况下(即P+区相对于N+区接正偏压),电子和空穴将注入到本征区,形成电流。因为这...
日期:2008-12-03阅读:1907
结构调制器截面
我们有下列几点需要考虑: ①脊宽和脊高的确定; ②N+和P+区深度的确定; ③N+区偏离内...
日期:2008-12-03阅读:1582
SEED器件耐压特性测量
对列阵器件的耐压特性做了测量,表为测量结果。造成个别器件耐压值偏低的原因是多方面的,多量子...
日期:2008-12-03阅读:1449
SEED器件微区光反射谱测量
反射型SEED光调制开关列阵,要求多量子阱结构在激子吸收波段的光反射特性具有良好的电场调制作用...
日期:2008-12-03阅读:2339
SEED列阵设计与制备
1. 1×20 SEED列阵 SEED智能像素集光探测器、光调制器和逻辑功能电路于一体,SEED器件是智能...
日期:2008-12-03阅读:1594
光反射谱测量
我们采用了MBE技术生长多量子阱结构,衬底材料为半绝缘GaAs。在生长时先在半绝缘衬底上生长一层N...
日期:2008-12-03阅读:1425
常关型量子阱结构设计
一般常关型SEED器件的量子阱数目都取50个左右,图1和图2分别是常关型器件量子阱结构和计算的反射...
日期:2008-12-03阅读:1423
常通型器件量子阱结构设计
对于常通型器件,要获得高态反射率大于50%,低态反射率接近为零的器件,量子阱数目需75~100对...
日期:2008-12-03阅读:2364
SEED列阵研制适合于倒装焊结构的量子阱外延材料
1.量子阱结构设计 多量子阱吸收区的设计主要应考虑阱宽、垒宽、阱深和阱的数目的选取。吸收...
日期:2008-12-03阅读:2494