单片光电子集成技术
单片集成就是在将集成电路和光电子器件制作在同一材料上，将微电子与光电子技术的优势相互结合，...
日期：2008-12-04阅读：1930
混合光电子集成技术
混合集成的光电子集成回路中光子器件和电子器件根据各自器件的材料结构和制作工艺的不同分别制作...
日期：2008-12-04阅读：1545
腐蚀控制模式波长
镀膜的方法虽然也可以移动模式波长，但由于顶部反射率的降低，ASFP腔的谐振...
日期：2008-12-04阅读：1323
镀膜控制模式波长
我们所用的膜层材料为SiNO系材料，图1为镀SiN膜所得的实验结果。曲线1为镀...
日期：2008-12-04阅读：1704
LED数码显示器的工作原理
LED数码显示器由发光二极管（LED）构成“日”字型或“田”字型，发光二极管由磷砷化镓或碳化硅等...
日期：2008-12-03阅读：7224
数码显示器与电平显示器
为了便于操作人员了解自动化系统的运行工况，必要的显示设备是必不可少的。显示设备包括模拟显示...
日期：2008-12-03阅读：3018
偏离内脊侧壁的距离对载流子密度的影响
我们假定几个偏移距离，分别为0.25μm、1μm和4μm，并给出模拟结果，如图1所示。 图1 N+区...
日期：2008-12-03阅读：1525
N+和P+区的深度对载流子密度的影响
N+和P+区的深度对载流子密度的影响可以模拟出来，但是如果P+区延伸较深的话就会深入到光场区，从...
日期：2008-12-03阅读：2048
脊宽和脊高对载流子密度的影响
首先考虑脊高对注入载流子密度的影响。我们这里考虑到脊高是图1中刻蚀掉的深度矽。为了保证单模...
日期：2008-12-03阅读：1761
光小目位脊形光波导基模调制器
在正向注入的情况下（即P+区相对于N+区接正偏压），电子和空穴将注入到本征区，形成电流。因为这...
日期：2008-12-03阅读：2013
结构调制器截面
我们有下列几点需要考虑： ①脊宽和脊高的确定； ②N+和P+区深度的确定； ③N+区偏离内...
日期：2008-12-03阅读：1637
SEED器件耐压特性测量
对列阵器件的耐压特性做了测量，表为测量结果。造成个别器件耐压值偏低的原因是多方面的，多量子...
日期：2008-12-03阅读：1523
SEED器件微区光反射谱测量
反射型SEED光调制开关列阵，要求多量子阱结构在激子吸收波段的光反射特性具有良好的电场调制作用...
日期：2008-12-03阅读：2426
SEED列阵设计与制备
1． 1×20 SEED列阵 SEED智能像素集光探测器、光调制器和逻辑功能电路于一体，SEED器件是智能...
日期：2008-12-03阅读：1711
光反射谱测量
我们采用了MBE技术生长多量子阱结构，衬底材料为半绝缘GaAs。在生长时先在半绝缘衬底上生长一层N...
日期：2008-12-03阅读：1480
常关型量子阱结构设计
一般常关型SEED器件的量子阱数目都取50个左右，图1和图2分别是常关型器件量子阱结构和计算的反射...
日期：2008-12-03阅读：1486
常通型器件量子阱结构设计
对于常通型器件，要获得高态反射率大于50％，低态反射率接近为零的器件，量子阱数目需75～100对...
日期：2008-12-03阅读：2467
SEED列阵研制适合于倒装焊结构的量子阱外延材料
1．量子阱结构设计 多量子阱吸收区的设计主要应考虑阱宽、垒宽、阱深和阱的数目的选取。吸收...
日期：2008-12-03阅读：2570
顶注入对称相位调制器结构
为了在半导体中实现载流子注入，我们需要在器仵中建立电流通路。最简单的办法就是·利用pn结。因...
日期：2008-12-03阅读：1518
光小目位调制器位移电流方程
对于时域模拟，位移电流需要进行计算和保存。位移电流的表达式为进行求解之前，需要对拟解决的问...
日期：2008-12-03阅读：1814
光小目位调制器漂移-扩散模型
根据玻耳兹曼传输方程，载流子连续性方程中的电流密度可以通过漂移－扩散模型来表达。在这种情况...
日期：2008-12-03阅读：2078
SEED智能像素制备工艺
根据国内CMOS工艺和倒装焊接的技术水平及所研制的SEED列阵特点，本课题组设计出CMOS－SEED智能像...
日期：2008-12-03阅读：2161
SEED智能像素总体设计
本文组借鉴国外并行光互连链路的经验，应用一维线阵结构的SEED智能像素，将4×4 SEED智能像素制...
日期：2008-12-03阅读：1826
SEED智能像素器件的工作原理
SEED器件利用超晶格量子阱二维自由激子吸收在外电场作用下的非线性变化，通过外部反馈元件的正反...
日期：2008-12-03阅读：1460
SEED智能像素器件的物理基础
随着分子束外延（MBE）和金属有机物化学气相淀积（MOCVD）技术的成熟与发展，可以在半导体衬底上...
日期：2008-12-03阅读：1566
智能像素的应用
由于微光电子集成智能像素集光子集成器件和超大规模集成电路于一体，同时具有光信号探测、调制、...
日期：2008-12-03阅读：1718
器件建模光小目位调制器
件建模的目的就是在一定的限定条件下，通过模拟优化，使器件性能满足我们的要求。因为器件的特性...
日期：2008-12-03阅读：1781
VCSEL智能像素
垂直腔面发射激光器（Vertical－CavitySurface－EmittingLaser，VCSEL）及其阵列是一种新型的半...
日期：2008-12-03阅读：1859
光小目位调制器
对于硅来说，最有效的电光调制方法是利用自由载流子的注入和耗尽。利用这个效应我们可以做成光强...
日期：2008-12-03阅读：1468
SEED智能像素
半导体多量子阱自电光效应器件是20世纪80年代后期迅速发展起来的一种新颖的光电混合型光逻辑开关...
日期：2008-12-03阅读：1747
