二维器件模拟光电探测器的结构
图1给出了在器件模拟软件Atlas中输入的器件结构、外加电压示意图和经二维模拟得出的pn结的位置和...
日期：2008-12-02阅读：1911
光电P型叉指结构二极管
CMOS光电探测器的响应时间较慢是高速光电接收器单片集成的主要障碍。由于硅对波长肛638 nm吸收深...
日期：2008-12-02阅读：2112
双光电二极管（DPD）
N+-P衬底结构中的P型掺杂浓度一般大于1016 cm-3，造成pn结空间电荷区，也就是光生载流子漂移区的...
日期：2008-12-02阅读：4135
LD发射机实例
图1所示为国内东南大学设计的一种LD发射机原理图。其发光部分LD采用VCSEL激光器，实现了单片集成...
日期：2008-12-02阅读：2637
典型的LD光发射机
典型的LD光发射机框图如图1所示。主要包括如下。 （1）激光二极管：LD器件设计和制作，在第2...
日期：2008-12-02阅读：3566
基于硅基CMOS工艺的集成光电探测器
CM0S工艺是最为重要的微电子制造技术，具有廉价、可批量制造、成品率高等优点。早期的CMOS工艺通...
日期：2008-12-01阅读：3695
LED发射器
对LED和LD的特性进行比较可以知道：对于LD来说，它具有输出功率大、光谱窄、能够达到较高的调制...
日期：2008-12-01阅读：3057
集成光电探测器彩色传感器
图1给出了一种基于透射深度相关的强波长全硅彩色传感器结构阳。彩色传感器与所必需的电信号处理...
日期：2008-12-01阅读：2074
紫外（UV）光探测器
在燃烧监视等工业应用场合，需要某一个特定的对光谱特别敏感的光电探测器，在此光谱范围内，火焰...
日期：2008-12-01阅读：3346
光电晶体管
基区－集电区pn结面积被扩大了的NPN晶体管显然可以被用做光电晶体管，结构如图1所示［40］。 ...
日期：2008-12-01阅读：4318
集电极形成的PIN光电二极管
在不对工艺做任何修改的情况下，N＋埋层集电极可以被用做光电二极管的阴极，N型外延集电区可用做...
日期：2008-12-01阅读：3423
双极工艺光电二极管
图1中给出了一种基于标准双极工艺的N+-p型光电二极管[36]，其中的N+区是由N+埋层以及插入的N+集...
日期：2008-12-01阅读：2220
基于硅基双极型工艺的光电探测器
目前，长距离通信用的光接收器探测器都是用III-V族化合物材料制作的，其传输速率已经超过了40Gb/...
日期：2008-12-01阅读：1747
光电探测器响应度随波长变化曲线
在功率为15 W疝灯背入射下，测得光谱响应曲线如图1所示，峰值响应波长为286 nm，适合在太阳盲区...
日期：2008-12-01阅读：6877
GaN PIN光电探测器结构
为了提高工作速度和响应度，往往采用PIN结构。PIN结构GaN紫外光电探测器具有以下优点：（1）由于...
日期：2008-12-01阅读：4700
GaN基肖特基结构紫外光电探测器
GaN光电导型探测器的缺点是光电导的持续性，即光生载流子不会随入射光的消失而立刻消失，此效应...
日期：2008-12-01阅读：3876
采用Si衬底利用AIN做缓冲层的光导型探测器
Khan等人[25]在1992年报道了支高质量GaN材料光电导探测器，它以蓝宝石为衬底通过金属有机化学气...
日期：2008-12-01阅读：1839
光电MSM探测器
MSM是一种平面结构，结构简单，易于和场效应管单片集成实现OEIC光电子集成回路。如图1所示。未掺...
日期：2008-12-01阅读：3770
光电SAM-APD探测器
载流子在倍增过程中会引起隧穿电流使APD噪声显著增加，特别是当倍增区的禁带宽度较窄时，这种隧...
日期：2008-12-01阅读：6075
雪崩光电探测器结构和能带
在波长为1.55 gm的长波长区域，由于锗光电探测器遇到暗电流较大等问题，人们便转向使用InP基材料...
日期：2008-12-01阅读：3639
光电探测器多量子阱MQW结构APD
由于51的电子空穴离化率之比很高，用它制作的的雪崩二极管噪声低，暗电流小。同时人们对51的特性...
日期：2008-12-01阅读：4594
光电APD探测器
虽然PIN结构通过扩展空间电荷区有效地提高了工作速度和量子效率，但是它无法将光生载流子放大，...
日期：2008-12-01阅读：4574
光电探测器结构示意图
四元化合物In1-X，GaXAs1-yPy可以通过在InP衬底上外延生长而获得良好的晶格匹配。通过优化艿和y...
日期：2008-12-01阅读：8352
光电PIN探测器
尽管这一材料体系的PIN通常只含有AlGaSb，但掺杂少量的砷能减少晶格失配。该材料用LPE方法在350...
日期：2008-12-01阅读：6364
光电探测器异质结
图1（a）是一个典型的异质结PIN［13］，P型和N型区域均为InP，本征层In1 ，Ga，As生长在N型InP衬...
日期：2008-12-01阅读：2534
光电探测器基本结构
如图1（a）所示为PIN光电探测器基本结构，N型衬底上生长一层低掺杂本征层，在淀积的5102上开窗形...
日期：2008-12-01阅读：2614
基于III-V族半导体材料的光电探测器
半导体光电探测器是利用内光电效应进行光电探测的，通过吸收光子产生电子ˉ空穴对从雨在外电路产...
日期：2008-12-01阅读：3582
光电噪声和探测度
光电探测器的主要噪声源有暗电流噪声、散粒噪声和热噪声。对理想的光电探测器，在无光照的时候应...
日期：2008-12-01阅读：4866
光电探测器频率响应
光电探测器正常工作所能探测到入射光信号的调制频率是有限的，调制频率高于光电探测器频率响应的...
日期：2008-12-01阅读：4812
量子效率和响应度
量子效率可以分为内量子效率ηi和外量子效率ηo ,它是半导体光电探测器最重要的指标。内量子效率...
日期：2008-12-01阅读：14441
