集成光电子学SOI光波导
集成光电子学无论在技术还是成本上都占有优势。对于III-V族化合物来说，硅材料和SOl（硅在绝缘体...
日期：2008-12-02阅读：2412
光波导基本结构
平板光波导的利用面非常有限，因为它只能导引光波沿着一个固定的方向传播，这无疑限制了光波导的...
日期：2008-12-02阅读：8721
波方程的限制因子
我们知道，并不是光波导中所有的光功率都在芯层内部传输。而知道有多少功率在芯层内部传输是十分...
日期：2008-12-02阅读：2977
波方程的模场形状
在已经得出了场解后，就可以画出其场分布和强度分布图。为了描述多模特性，定义一个较大的多模光...
日期：2008-12-02阅读：1654
波方程的化简和求解
在这一部分，我们利用简单的平板光波导结构来化简波方程。我们将利用偏振的m模（只在艿方向存在...
日期：2008-12-02阅读：2896
电磁场理论基础
简单的光波导理论可通过射线光学进行研究，但是要对光波导器件进行设计，就一定要用到波动光学的...
日期：2008-12-02阅读：2916
模有效折射率
由式（4－21）和式（4-22）知道： 我们尤其对z方向的传播常数感兴趣，炻经常可以用β来表示，...
日期：2008-12-02阅读：5312
光传输的单模条件
对于给定的偏振光来说，我们通常使用的光波导只支持一个模式，即单模光波导。分析一下对称平板光...
日期：2008-12-02阅读：3137
非对称平板光波导
现在我们考虑更加复杂的非对称平板光波导，如图1所示，n2≠n3。 图1 非对称平板光波导传输 ...
日期：2008-12-02阅读：3047
电子图像显示器件
图像显示器件是二维光信号的图像与人的视觉之间的媒介。图像具有丰富的信息量，伴随着图像的发射...
日期：2008-12-02阅读：2064
并行光接收模块
VSR光接收模块的主要组成包括光电探测器二极管列阵、放大器、增益放大器、信号检测电路，以及LVD...
日期：2008-12-02阅读：2402
并行光发射模块的封装技术
模块的正常工作需要优化的的封装设计。一个好的封装可以很好地保护内部的组件，隔离外部干扰，并...
日期：2008-12-02阅读：2467
光电探测器阵列CCD转移特性
为了减小氧化层残余电荷引起界面陷阱中心使载流子消失以提高转移效率，可以在氧化层和衬底之间增...
日期：2008-12-02阅读：3004
并行光发射模块耦合技术
耦合也是光发射模块的关键工艺之一，耦合的效果直接影响着出射光的性能。激光器芯片和光纤的耦合...
日期：2008-12-02阅读：3432
光电探测器阵列CCD摄像器件
目前广泛使用的摄像器件是CCD型摄像器件。CCD于1970年由贝尔实验室发明［82］，此后关于CCD的研...
日期：2008-12-02阅读：3157
光电探测器阵列摄像器件的像素基本结构
将多个PN型光电探测器组成阵列，可以形成光电成像系统中的摄像器件。摄像器件的功能是将照射到探...
日期：2008-12-02阅读：3062
并行光发射模块驱动电路
VCSEL工作时需要提供恒定的驱动电流，由于VCSEL的阈值电流很低，驱动电流为毫安量级，而且VCSEL...
日期：2008-12-02阅读：4150
并行光发射模块
随着常规的光纤传输正向着高速大容量的方向发展，并行光发射和接收技术也是实现这一方向的方案之...
日期：2008-12-02阅读：2221
甚短距离光传输技术VSR技术的主要特点
由于VSR技术面向在较短距离上传输较高速率的信息，因此VSR技术和骨干网光纤传输技术有很大的不同...
日期：2008-12-02阅读：1896
甚短距离光传输技术VSR技术的基本工作形式
从光信号传输的角度来看，VSR可以分为并行光传输和串行光传输两种。串行方式通常采用850nm或者13...
日期：2008-12-02阅读：1543
甚短距离光传输技术VSR在网络体系中的位置
由于短波长VCSEL技术的成熟，使得VCSEL阵列激光光源的价格非常低，在系统设备内部，例如在计算机...
日期：2008-12-02阅读：1681
甚短距离光传输技术（VSR）的定义和标准
广义上讲，任何有别于骨干网传输，在较短距离内，能够高效传送信息的光传输系统都可以称为甚短距...
日期：2008-12-02阅读：2260
工艺下集成光电探测器
集成的探测器BiCMOS工艺仅仅是为了制作集成性能更好的光电探测器；其中电路部分则不是决定性的因...
日期：2008-12-02阅读：2312
甚短距离光传输技术（VSR）简介
现有的同步光网络系统是按长距离骨干网设计的，采用的是比较昂贵的串行光发射和接收设备，对光纤...
日期：2008-12-02阅读：1965
相同类型阱之间的穿通效应
穿通效应（Reach-Through Effect）。当两个与衬底的掺杂类型不同的阱相邻时，穿通效应的影响就会...
日期：2008-12-02阅读：3222
寄生双极型晶体管闩锁效应的影响
闩锁效应（Latch-Up Effect）。在N阱与P阱接触的地方存在着发生闩锁效应的危险。如图1中所示，存...
日期：2008-12-02阅读：7932
集成横向PIN光电二极管
图1中介绍了一种在轻掺杂的P型衬底（Na=6x1012cm-3）上采用1pm NM0S工艺制作的横向PIN光电二极管...
日期：2008-12-02阅读：3864
空间调制光电探测器
一种利用标准CMOS工艺实现的旨在消除缓慢载流子扩散对探测器频率响应产生影响的空间调制光电探测...
日期：2008-12-02阅读：2741
工艺参数下光电探测器的器件模拟
图1 TSMC 0.35pm CMOS工艺参数下光电探测器的器件模拟 图1（a）模拟了工作二极管响应电流与...
日期：2008-12-02阅读：2886
二维器件模拟光电探测器的结构
图1给出了在器件模拟软件Atlas中输入的器件结构、外加电压示意图和经二维模拟得出的pn结的位置和...
日期：2008-12-02阅读：2022
