并行光发射模块的封装技术
模块的正常工作需要优化的的封装设计。一个好的封装可以很好地保护内部的组件，隔离外部干扰，并...
日期：2008-12-02阅读：2427
光电探测器阵列CCD转移特性
为了减小氧化层残余电荷引起界面陷阱中心使载流子消失以提高转移效率，可以在氧化层和衬底之间增...
日期：2008-12-02阅读：2947
并行光发射模块耦合技术
耦合也是光发射模块的关键工艺之一，耦合的效果直接影响着出射光的性能。激光器芯片和光纤的耦合...
日期：2008-12-02阅读：3355
光电探测器阵列CCD摄像器件
目前广泛使用的摄像器件是CCD型摄像器件。CCD于1970年由贝尔实验室发明［82］，此后关于CCD的研...
日期：2008-12-02阅读：3095
光电探测器阵列摄像器件的像素基本结构
将多个PN型光电探测器组成阵列，可以形成光电成像系统中的摄像器件。摄像器件的功能是将照射到探...
日期：2008-12-02阅读：3013
并行光发射模块驱动电路
VCSEL工作时需要提供恒定的驱动电流，由于VCSEL的阈值电流很低，驱动电流为毫安量级，而且VCSEL...
日期：2008-12-02阅读：4034
并行光发射模块
随着常规的光纤传输正向着高速大容量的方向发展，并行光发射和接收技术也是实现这一方向的方案之...
日期：2008-12-02阅读：2160
甚短距离光传输技术VSR技术的主要特点
由于VSR技术面向在较短距离上传输较高速率的信息，因此VSR技术和骨干网光纤传输技术有很大的不同...
日期：2008-12-02阅读：1862
甚短距离光传输技术VSR技术的基本工作形式
从光信号传输的角度来看，VSR可以分为并行光传输和串行光传输两种。串行方式通常采用850nm或者13...
日期：2008-12-02阅读：1484
甚短距离光传输技术VSR在网络体系中的位置
由于短波长VCSEL技术的成熟，使得VCSEL阵列激光光源的价格非常低，在系统设备内部，例如在计算机...
日期：2008-12-02阅读：1632
甚短距离光传输技术（VSR）的定义和标准
广义上讲，任何有别于骨干网传输，在较短距离内，能够高效传送信息的光传输系统都可以称为甚短距...
日期：2008-12-02阅读：2159
工艺下集成光电探测器
集成的探测器BiCMOS工艺仅仅是为了制作集成性能更好的光电探测器；其中电路部分则不是决定性的因...
日期：2008-12-02阅读：2231
甚短距离光传输技术（VSR）简介
现有的同步光网络系统是按长距离骨干网设计的，采用的是比较昂贵的串行光发射和接收设备，对光纤...
日期：2008-12-02阅读：1913
相同类型阱之间的穿通效应
穿通效应（Reach-Through Effect）。当两个与衬底的掺杂类型不同的阱相邻时，穿通效应的影响就会...
日期：2008-12-02阅读：3157
寄生双极型晶体管闩锁效应的影响
闩锁效应（Latch-Up Effect）。在N阱与P阱接触的地方存在着发生闩锁效应的危险。如图1中所示，存...
日期：2008-12-02阅读：7845
集成横向PIN光电二极管
图1中介绍了一种在轻掺杂的P型衬底（Na=6x1012cm-3）上采用1pm NM0S工艺制作的横向PIN光电二极管...
日期：2008-12-02阅读：3785
空间调制光电探测器
一种利用标准CMOS工艺实现的旨在消除缓慢载流子扩散对探测器频率响应产生影响的空间调制光电探测...
日期：2008-12-02阅读：2678
工艺参数下光电探测器的器件模拟
图1 TSMC 0.35pm CMOS工艺参数下光电探测器的器件模拟 图1（a）模拟了工作二极管响应电流与...
日期：2008-12-02阅读：2763
二维器件模拟光电探测器的结构
图1给出了在器件模拟软件Atlas中输入的器件结构、外加电压示意图和经二维模拟得出的pn结的位置和...
日期：2008-12-02阅读：1963
光电P型叉指结构二极管
CMOS光电探测器的响应时间较慢是高速光电接收器单片集成的主要障碍。由于硅对波长肛638 nm吸收深...
日期：2008-12-02阅读：2194
双光电二极管（DPD）
N+-P衬底结构中的P型掺杂浓度一般大于1016 cm-3，造成pn结空间电荷区，也就是光生载流子漂移区的...
日期：2008-12-02阅读：4270
LD发射机实例
图1所示为国内东南大学设计的一种LD发射机原理图。其发光部分LD采用VCSEL激光器，实现了单片集成...
日期：2008-12-02阅读：2693
典型的LD光发射机
典型的LD光发射机框图如图1所示。主要包括如下。 （1）激光二极管：LD器件设计和制作，在第2...
日期：2008-12-02阅读：3674
基于硅基CMOS工艺的集成光电探测器
CM0S工艺是最为重要的微电子制造技术，具有廉价、可批量制造、成品率高等优点。早期的CMOS工艺通...
日期：2008-12-01阅读：3839
LED发射器
对LED和LD的特性进行比较可以知道：对于LD来说，它具有输出功率大、光谱窄、能够达到较高的调制...
日期：2008-12-01阅读：3166
集成光电探测器彩色传感器
图1给出了一种基于透射深度相关的强波长全硅彩色传感器结构阳。彩色传感器与所必需的电信号处理...
日期：2008-12-01阅读：2170
紫外（UV）光探测器
在燃烧监视等工业应用场合，需要某一个特定的对光谱特别敏感的光电探测器，在此光谱范围内，火焰...
日期：2008-12-01阅读：3442
光电晶体管
基区－集电区pn结面积被扩大了的NPN晶体管显然可以被用做光电晶体管，结构如图1所示［40］。 ...
日期：2008-12-01阅读：4433
集电极形成的PIN光电二极管
在不对工艺做任何修改的情况下，N＋埋层集电极可以被用做光电二极管的阴极，N型外延集电区可用做...
日期：2008-12-01阅读：3531
双极工艺光电二极管
图1中给出了一种基于标准双极工艺的N+-p型光电二极管[36]，其中的N+区是由N+埋层以及插入的N+集...
日期：2008-12-01阅读：2301
