并行光发射模块耦合技术

耦合也是光发射模块的关键工艺之一，耦合的效果直接影响着出射光的性能。激光器芯片和光纤的耦合...

日期：2008-12-02阅读：3306

光电探测器阵列CCD摄像器件

目前广泛使用的摄像器件是CCD型摄像器件。CCD于1970年由贝尔实验室发明［82］，此后关于CCD的研...

日期：2008-12-02阅读：3040

光电探测器阵列摄像器件的像素基本结构

将多个PN型光电探测器组成阵列，可以形成光电成像系统中的摄像器件。摄像器件的功能是将照射到探...

日期：2008-12-02阅读：2964

并行光发射模块驱动电路

VCSEL工作时需要提供恒定的驱动电流，由于VCSEL的阈值电流很低，驱动电流为毫安量级，而且VCSEL...

日期：2008-12-02阅读：3947

并行光发射模块

随着常规的光纤传输正向着高速大容量的方向发展，并行光发射和接收技术也是实现这一方向的方案之...

日期：2008-12-02阅读：2112

甚短距离光传输技术VSR技术的主要特点

由于VSR技术面向在较短距离上传输较高速率的信息，因此VSR技术和骨干网光纤传输技术有很大的不同...

日期：2008-12-02阅读：1802

甚短距离光传输技术VSR技术的基本工作形式

从光信号传输的角度来看，VSR可以分为并行光传输和串行光传输两种。串行方式通常采用850nm或者13...

日期：2008-12-02阅读：1430

甚短距离光传输技术VSR在网络体系中的位置

由于短波长VCSEL技术的成熟，使得VCSEL阵列激光光源的价格非常低，在系统设备内部，例如在计算机...

日期：2008-12-02阅读：1598

甚短距离光传输技术（VSR）的定义和标准

广义上讲，任何有别于骨干网传输，在较短距离内，能够高效传送信息的光传输系统都可以称为甚短距...

日期：2008-12-02阅读：2086

工艺下集成光电探测器

集成的探测器BiCMOS工艺仅仅是为了制作集成性能更好的光电探测器；其中电路部分则不是决定性的因...

日期：2008-12-02阅读：2171

甚短距离光传输技术（VSR）简介

现有的同步光网络系统是按长距离骨干网设计的，采用的是比较昂贵的串行光发射和接收设备，对光纤...

日期：2008-12-02阅读：1868

相同类型阱之间的穿通效应

穿通效应（Reach-Through Effect）。当两个与衬底的掺杂类型不同的阱相邻时，穿通效应的影响就会...

日期：2008-12-02阅读：3083

寄生双极型晶体管闩锁效应的影响

闩锁效应（Latch-Up Effect）。在N阱与P阱接触的地方存在着发生闩锁效应的危险。如图1中所示，存...

日期：2008-12-02阅读：7760

集成横向PIN光电二极管

图1中介绍了一种在轻掺杂的P型衬底（Na=6x1012cm-3）上采用1pm NM0S工艺制作的横向PIN光电二极管...

日期：2008-12-02阅读：3696

空间调制光电探测器

一种利用标准CMOS工艺实现的旨在消除缓慢载流子扩散对探测器频率响应产生影响的空间调制光电探测...

日期：2008-12-02阅读：2619

工艺参数下光电探测器的器件模拟

图1 TSMC 0.35pm CMOS工艺参数下光电探测器的器件模拟　　图1（a）模拟了工作二极管响应电流与...

日期：2008-12-02阅读：2687

二维器件模拟光电探测器的结构

图1给出了在器件模拟软件Atlas中输入的器件结构、外加电压示意图和经二维模拟得出的pn结的位置和...

日期：2008-12-02阅读：1930

光电P型叉指结构二极管

CMOS光电探测器的响应时间较慢是高速光电接收器单片集成的主要障碍。由于硅对波长肛638 nm吸收深...

日期：2008-12-02阅读：2141

双光电二极管（DPD）

N+-P衬底结构中的P型掺杂浓度一般大于1016 cm-3，造成pn结空间电荷区，也就是光生载流子漂移区的...

日期：2008-12-02阅读：4194

LD发射机实例

图1所示为国内东南大学设计的一种LD发射机原理图。其发光部分LD采用VCSEL激光器，实现了单片集成...

日期：2008-12-02阅读：2656

典型的LD光发射机

典型的LD光发射机框图如图1所示。主要包括如下。　　（1）激光二极管：LD器件设计和制作，在第2...

日期：2008-12-02阅读：3603

基于硅基CMOS工艺的集成光电探测器

CM0S工艺是最为重要的微电子制造技术，具有廉价、可批量制造、成品率高等优点。早期的CMOS工艺通...

日期：2008-12-01阅读：3754

LED发射器

对LED和LD的特性进行比较可以知道：对于LD来说，它具有输出功率大、光谱窄、能够达到较高的调制...

日期：2008-12-01阅读：3087

集成光电探测器彩色传感器

图1给出了一种基于透射深度相关的强波长全硅彩色传感器结构阳。彩色传感器与所必需的电信号处理...

日期：2008-12-01阅读：2106

紫外（UV）光探测器

在燃烧监视等工业应用场合，需要某一个特定的对光谱特别敏感的光电探测器，在此光谱范围内，火焰...

日期：2008-12-01阅读：3381

光电晶体管

基区－集电区pn结面积被扩大了的NPN晶体管显然可以被用做光电晶体管，结构如图1所示［40］。　　...

日期：2008-12-01阅读：4358

集电极形成的PIN光电二极管

在不对工艺做任何修改的情况下，N＋埋层集电极可以被用做光电二极管的阴极，N型外延集电区可用做...

日期：2008-12-01阅读：3465

双极工艺光电二极管

图1中给出了一种基于标准双极工艺的N+-p型光电二极管[36]，其中的N+区是由N+埋层以及插入的N+集...

日期：2008-12-01阅读：2245

基于硅基双极型工艺的光电探测器

目前，长距离通信用的光接收器探测器都是用III-V族化合物材料制作的，其传输速率已经超过了40Gb/...

日期：2008-12-01阅读：1774

光电探测器响应度随波长变化曲线

在功率为15 W疝灯背入射下，测得光谱响应曲线如图1所示，峰值响应波长为286 nm，适合在太阳盲区...

日期：2008-12-01阅读：6935