双极工艺光电二极管

　　图1中给出了一种基于标准双极工艺的N+-p型光电二极管[36]，其中的N+区是由N+埋层以及插入的N+集电极注入形成，P区则是直接利用轻掺杂的P型衬底。图中N＋区与P＋区的间距为5 gm，N＋区的面积被定义为光电探测器的面积。

　　图1  双极工艺N+-P型光电二极管

　　这种结构能够高效地进行光电转换，在外加偏压为双极电路工作电压（4.2 V）时的量子效率η=30%°但是由于受前面叙述的耗尽区外光生载流子缓慢扩散的影响，其响应速度较慢。该探测器与一跨阻抗为1.8 kΩ的双极型前置放大器单片集成，当探测器面积为100×100μm2，入射光波长/1＝850 nm时，可以测得开眼图比特率达到150 Mb/s。当N＋区的面积减小到10×10 llm＇时，该光电二极管的瞬态特性将得到显著改善，入射光波长肛8⒛nm时，上升时间和下降时间分别为40 ps和400 ps。根据节论述的保守的数据率估计式DR=1/3f（，这种指标的探测器可以实现850 Mb/s的数据传输能力。

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