N+和P+区的深度对载流子密度的影响可以模拟出来，但是如果P+区延伸较深的话就会深入到光场区，从而使光传输损耗加大。所以我们只考虑N+区变化的情况。考虑N+区深度分别为0.5um和1.2um两种情况流子密度的变化。掺杂区域默认为均匀掺杂，浓度为5×1018cm-3。器件结构参数如图1所示。模拟结果如图1所示。
图1 N+区的深度对载流子密度的影响
可以看出，载流子密度随N+区深度的变化并不大，而离子注入实现1.2um的工艺较0.5um的工艺来说，无论在掩膜制作还是在注入工艺上，难度都大大提高，所以我们通常选择较薄的N+区厚度。
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