对列阵器件的耐压特性做了测量，表为测量结果。造成个别器件耐压值偏低的原因是多方面的，多量子阱i区本底浓度偏高，会使pln结构中电场强度增大；材料生长的不够均匀（i区掺杂浓度不均匀）会使部分器件性能不完全一致；材料中的缺陷会导致反向漏电流增大，以及器件制备工艺引入的缺陷等都会造成击穿电压偏低。为了提高列阵器件的耐压特性，应尽可能地降低多量子阱i区本底浓度，严格控制材料生长过程，使材料尽可能地均匀一致，减小材料中的缺陷，在器件制备中严格控制和净化工艺过程。
表 耐压特性测量结果
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