N沟MOSF管IRF830AS

地区:广东 深圳
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深圳市金广顺科技有限公司

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数据列表产品相片产品目录绘图标准包装类别家庭系列FET 型FET 特点开态Rds(*大)@ Id, Vgs @ 25° C漏*至源*电压(Vdss)电流 - 连续漏*(Id) @ 25° CId 时的 Vgs(th)(*大)闸电荷(Qg) @ Vgs在 Vds 时的输入电容(Ciss)功率 - *大安装类型封装/外壳供应商设备封装包装
IRF830ASPBF, ALPBF
D2PAK, TO-263
IR(F,L,Z) Series Side 1
IR(F,L,Z) Series Side 2
1,000
分离式半导体产品
FET - 单路
-
MOSFET N 通道,金属氧化物
标准型
1.4 欧姆 @ 3A, 10V
500V
5A
4.5V @ 250µA
24nC @ 10V
620pF @ 25V
3.1W
表面贴装
TO-263-3, D²Pak (2 引线 接片), TO-263AB
D2PAK
管件
品牌/商标

其他

型号/规格

IRF830AS

种类

*缘栅(MOSFET)

沟道类型

N沟道

导电方式

增强型

封装外形

SMD(SO)/表面封装

材料

N-FET硅N沟道

开启电压

500(V)

夹断电压

25(V)

跨导

0(μS)

*间电容

0(pF)

低频噪声系数

0(dB)

漏*电流

0(mA)

耗散功率

0(mW)