P沟MOSF管IRF7410

地区:广东 深圳
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数据列表产品相片产品目录绘图标准包装类别家庭系列FET 型FET 特点开态Rds(*大)@ Id, Vgs @ 25° C漏*至源*电压(Vdss)电流 - 连续漏*(Id) @ 25° CId 时的 Vgs(th)(*大)闸电荷(Qg) @ Vgs在 Vds 时的输入电容(Ciss)功率 - *大安装类型封装/外壳供应商设备封装包装
IRF7410GPBF
8-SOIC
IR Hexfet 8-SOIC
4,000
分离式半导体产品
FET - 单路
HEXFET®
MOSFET P 通道,金属氧化物
逻辑电平门
7 毫欧 @ 16A, 4.5V
12V
16A
900mV @ 250µA
91nC @ 4.5V
8676pF @ 10V
2.5W
表面贴装
8-SOIC(0.154", 3.90mm 宽)
8-SO
带卷 (TR)
品牌/商标

其他

型号/规格

IRF7410

种类

*缘栅(MOSFET)

沟道类型

P沟道

导电方式

增强型

封装外形

SMD(SO)/表面封装

材料

P-FET硅P沟道

开启电压

12(V)

夹断电压

4.5(V)

跨导

0(μS)

*间电容

0(pF)

低频噪声系数

0(dB)

漏*电流

0(mA)

耗散功率

2.5(mW)