N沟MOSF管IRL2703S

TO-263(D2-PAK) 12V-400V, N沟MOSFET

数据列表产品相片标准包装类别家庭系列FET 型FET 特点开态Rds（*大）@ Id, Vgs @ 25° C漏*至源*电压(Vdss)电流 - 连续漏*(Id) @ 25° CId 时的 Vgs(th)（*大）闸电荷(Qg) @ Vgs在 Vds 时的输入电容(Ciss)功率 - *大安装类型封装/外壳

IRL2703SPbF

D2PAK, TO-263

50

分离式半导体产品

FET - 单路

HEXFET®

MOSFET N 通道，金属氧化物

逻辑电平门

40 毫欧 @ 14A, 10V

30V

24A

1V @ 250µA

15nC @ 4.5V

450pF @ 25V

45W

表面贴装

TO-263-3, D²Pak (2 引线 接片), TO-263AB