N沟MOSF管IRFZ34VS

地区:广东 深圳
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TO-263(D2-PAK) 12V-400V, N沟MOSFET

数据列表产品相片产品目录绘图标准包装类别家庭系列FET 型FET 特点开态Rds(*大)@ Id, Vgs @ 25° C漏*至源*电压(Vdss)电流 - 连续漏*(Id) @ 25° CId 时的 Vgs(th)(*大)闸电荷(Qg) @ Vgs在 Vds 时的输入电容(Ciss)功率 - *大安装类型封装/外壳包装
IRFZ34VSPbF, IRFZ34VLPbF
D2PAK, TO-263
IR Hexfet D2PAK
50
分离式半导体产品
FET - 单路
HEXFET®
MOSFET N 通道,金属氧化物
标准型
28 毫欧 @ 18A, 10V
60V
30A
4V @ 250µA
49nC @ 10V
1120pF @ 25V
70W
表面贴装
TO-263-3, D²Pak (2 引线 接片), TO-263AB
管件
"
品牌/商标

IR/国际整流器

型号/规格

IRFZ34VS

种类

*缘栅(MOSFET)

沟道类型

N沟道

导电方式

增强型

开启电压

60(V)

夹断电压

4(V)

跨导

0(μS)

*间电容

0(pF)

低频噪声系数

0(dB)

漏*电流

0(mA)

耗散功率

0(mW)