低压mosfet

地区:广东 深圳
认证:

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低压mosfet


  低压mosfet特点:

  高速电源开关,逻辑电平

  增强体二极管dv/dt能力

  增强雪崩强度

  100%的ui测试,100%的Rg测试

  无铅,无卤素



  低压mosfet应用:

  SMPS同步整流

  硬开关和高速电路

  在电信和工业中的DC/DC



  jue对zui大额定参数Tj=25℃时(除非另有说明):

  连续漏极电流(硅限):

  TC = 25℃:140

  TC = 100℃:99

  TC = 25℃:120

  连续漏极电流(包装有限):

  TC = 25℃:140

  TC = 100℃:99

  TC = 25℃:120

  漏极至源极电压:80V

  门源电压:±20V

  脉冲漏极电流:400

  雪崩能量,单脉冲:80mJ

  功耗:150 w

  操作和储存温度:-55 ~ 175℃



  电特性在Tj=25℃(除非另有说明):

低压mosfet更多参数请致电我们~

型号/规格

HGN021N06SL

品牌/商标

恒泰柯

封装形式

HGD035N08AL

环保类别

无铅环保型

安装方式

贴片式

包装方式

卷带编带包装