N沟MOSF管FDS5670

数据列表产品相片产品培训模块产品变化通告产品目录绘图标准包装类别家庭系列FET 型FET 特点开态Rds（*大）@ Id, Vgs @ 25° C漏*至源*电压(Vdss)电流 - 连续漏*(Id) @ 25° CId 时的 Vgs(th)（*大）闸电荷(Qg) @ Vgs在 Vds 时的输入电容(Ciss)功率 - *大安装类型封装/外壳

FDS5670

8-SOIC

High Voltage Switches for Power Processing

Cu Wirebond Change 12/Oct/2007
Mold Compound Change 12/Dec/2007

Power MOSFET, 8-SOP, SO-8

2,500

分离式半导体产品

FET - 单路

PowerTrench®

MOSFET N 通道，金属氧化物

逻辑电平门

14 毫欧 @ 10A, 10V

60V

10A

4V @ 250µA

70nC @ 10V

2900pF @ 15V

1W

表面贴装

8-SOIC（0.154", 3.90mm 宽）

品牌/商标

其他

型号/规格

FDS5670

种类

*缘栅(MOSFET)

沟道类型

N沟道

导电方式

增强型

用途

DIFF/差分放大

封装外形

SMD(SO)/表面封装

材料

N-FET硅N沟道

开启电压

60（V）

夹断电压

10（V）

跨导

0（μS）

*间电容

0（pF）

低频噪声系数

0（dB）

漏*电流

0（mA）

耗散功率

0（mW）