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N沟MOSF管IRF7303

地区：广东 深圳
认证： 无

深圳市金广顺科技有限公司

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数据列表产品相片产品目录绘图标准包装类别家庭系列FET 型FET 特点开态Rds（*大）@ Id, Vgs @ 25° C漏*至源*电压(Vdss)电流 - 连续漏*(Id) @ 25° CId 时的 Vgs(th)（*大）闸电荷(Qg) @ Vgs在 Vds 时的输入电容(Ciss)功率 - *大安装类型封装/外壳供应商设备封装包装
IRF730*bF
8-SOIC
IR Hexfet 8-SOIC
4,000
分离式半导体产品
FET - 阵列
HEXFET®
2 个 N 沟道（双）
标准型
50 毫欧 @ 2.4A, 10V
30V
4.9A
1V @ 250µA
25nC @ 10V
520pF @ 25V
2W
表面贴装
8-SOIC（0.154", 3.90mm 宽）
8-SO
带卷 (TR)
"
品牌/商标

其他

型号/规格

IRF7303

种类

*缘栅(MOSFET)

沟道类型

N沟道

导电方式

增强型

封装外形

SMD(SO)/表面封装

材料

N-FET硅N沟道

开启电压

30（V）

夹断电压

0（V）

跨导

0（μS）

*间电容

0（pF）

低频噪声系数

0（dB）

漏*电流

0（mA）

耗散功率

0（mW）