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供应MOSFET - 单场效应管FDB6030BL

地区：广东 深圳
认证： 无

深圳市金广顺科技有限公司

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数据列表标准包装类别家庭系列FET 型FET 特点开态Rds（*大）@ Id, Vgs @ 25° C漏*至源*电压(Vdss)电流 - 连续漏*(Id) @ 25° CId 时的 Vgs(th)（*大）闸电荷(Qg) @ Vgs在 Vds 时的输入电容(Ciss)功率 - *大安装类型封装/外壳供应商设备封装包装
FDB6030BL, FDP6030BL
800
分离式半导体产品
FET - 单路
PowerTrench®
MOSFET N 通道，金属氧化物
逻辑电平门
18 毫欧 @ 20A, 10V
30V
40A
3V @ 250µA
17nC @ 5V
1160pF @ 15V
60W
表面贴装
TO-263-3, D²Pak (2 引线 接片), TO-263AB
TO-263AB
带卷 (TR)
品牌/商标

FAIRCHILD/*童

型号/规格

FDB6030BL

种类

*缘栅(MOSFET)

沟道类型

N沟道

导电方式

增强型

用途

A/宽频带放大

封装外形

SMD(SO)/表面封装

材料

N-FET硅N沟道

开启电压

10（V）

夹断电压

5（V）

跨导

0（μS）

*间电容

0（pF）

低频噪声系数

0（dB）

漏*电流

0（mA）

耗散功率

0（mW）