N沟MOSF管IRL3713S

TO-263(D2-PAK) 12V-400V, N沟MOSFET

数据列表产品相片标准包装类别家庭系列FET 型FET 特点开态Rds（*大）@ Id, Vgs @ 25° C漏*至源*电压(Vdss)电流 - 连续漏*(Id) @ 25° CId 时的 Vgs(th)（*大）闸电荷(Qg) @ Vgs在 Vds 时的输入电容(Ciss)功率 - *大安装类型封装/外壳供应商设备封装包装

IRL371*bF

D2PAK, TO-263

800

分离式半导体产品

FET - 单路

HEXFET®

MOSFET N 通道，金属氧化物

逻辑电平门

3 毫欧 @ 38A, 10V

30V

260A

2.5V @ 250µA

110nC @ 4.5V

5890pF @ 15V

330W

表面贴装

TO-263-3, D²Pak (2 引线 接片), TO-263AB

D2PAK

带卷 (TR)