N沟MOSF管IRF634S

TO-263(D2-PAK) 12V-400V, N沟MOSFET

数据列表标准包装类别家庭系列FET 型FET 特点开态Rds（*大）@ Id, Vgs @ 25° C漏*至源*电压(Vdss)电流 - 连续漏*(Id) @ 25° CId 时的 Vgs(th)（*大）闸电荷(Qg) @ Vgs在 Vds 时的输入电容(Ciss)功率 - *大安装类型封装/外壳

IRF634S, SiHF634S

800

分离式半导体产品

FET - 单路

-

MOSFET N 通道，金属氧化物

标准型

450 毫欧 @ 5.1A, 10V

250V

8.1A

4V @ 250µA

41nC @ 10V

770pF @ 25V

3.1W

表面贴装

TO-263-3, D²Pak (2 引线 接片), TO-263AB