N沟MOSF管IRFL4310

地区:广东 深圳
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SOT-223, N沟MOS

数据列表产品相片产品目录绘图标准包装类别家庭系列FET 型FET 特点开态Rds(*大)@ Id, Vgs @ 25° C漏*至源*电压(Vdss)Id 时的 Vgs(th)(*大)闸电荷(Qg) @ Vgs电流 - 连续漏*(Id) @ 25° C在 Vds 时的输入电容(Ciss)功率 - *大安装类型封装/外壳包装产品目录页面其它名称
IRFL4310PbF
IRFL4310TRPBF
IRFL(L) Series Top
2,500
分离式半导体产品
MOSFET,GaNFET - 单
HEXFET®
MOSFET N 通道,金属氧化物
逻辑电平门
200 毫欧 @ 1.6A, 10V
100V
4V @ 250µA
25nC @ 10V
1.6A
330pF @ 25V
1W
表面贴装
SOT-223(3 引线 接片),SC-73,TO-261AA
带卷 (TR)
1377 (CN091-10 PDF)
IRFL4310TRPBF-ND
IRFL4310TRPBFTR

FET

品牌/商标

IR/国际整流器

型号/规格

IRFL4310

种类

*缘栅(MOSFET)

沟道类型

N沟道

导电方式

增强型

用途

CC/恒流

封装外形

CHIP/小型片状

材料

N-FET硅N沟道

开启电压

100(V)

夹断电压

4(V)

*间电容

330(pF)

漏*电流

1600(mA)

耗散功率

10000(mW)