N沟MOSF管FDD6670S

TO-252(D-PARK) 20V-800V, N沟MOSFET

数据列表产品相片产品培训模块标准包装类别家庭系列FET 型FET 特点开态Rds（*大）@ Id, Vgs @ 25° C漏*至源*电压(Vdss)电流 - 连续漏*(Id) @ 25° CId 时的 Vgs(th)（*大）闸电荷(Qg) @ Vgs在 Vds 时的输入电容(Ciss)功率 - *大安装类型封装/外壳供应商设备封装包装

FDD6670A

TO-252-2

High Voltage Switches for Power Processing SMPS Power Switch

2,500

分离式半导体产品

FET - 单路

PowerTrench®

MOSFET N 通道，金属氧化物

逻辑电平门

8 毫欧 @ 15A, 10V

30V

15A

3V @ 250µA

22nC @ 5V

1755pF @ 15V

1.3W

表面贴装

TO-252-3, DPak (2 引线 接片), SC-63

D-Pak

带卷 (TR)