N沟MOSF管FDS6890A

地区:广东 深圳
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数据列表产品相片产品培训模块产品变化通告产品目录绘图标准包装类别家庭系列FET 型FET 特点开态Rds(*大)@ Id, Vgs @ 25° C漏*至源*电压(Vdss)电流 - 连续漏*(Id) @ 25° CId 时的 Vgs(th)(*大)闸电荷(Qg) @ Vgs在 Vds 时的输入电容(Ciss)功率 - *大安装类型封装/外壳供应商设备封装包装
FDS6890A
8-SOIC
High Voltage Switches for Power Processing
Cu Wirebond Change 12/Oct/2007
Mold Compound Change 12/Dec/2007
Power MOSFET, 8-SOP, SO-8
2,500
分离式半导体产品
FET - 阵列
PowerTrench®
2 个 N 沟道(双)
逻辑电平门
18 毫欧 @ 7.5A, 4.5V
20V
7.5A
1.5V @ 250µA
32nC @ 4.5V
2130pF @ 10V
900mW
表面贴装
8-SOIC(0.154", 3.90mm 宽)
8-SOICN
带卷 (TR)
品牌/商标

其他

型号/规格

FDS6890A

种类

*缘栅(MOSFET)

沟道类型

N沟道

导电方式

增强型

封装外形

SMD(SO)/表面封装

材料

N-FET硅N沟道

开启电压

20(V)

夹断电压

4.5(V)

跨导

0(μS)

*间电容

0(pF)

低频噪声系数

0(dB)

漏*电流

0(mA)

耗散功率

0(mW)