N沟MOSF管FDS6890A

数据列表产品相片产品培训模块产品变化通告产品目录绘图标准包装类别家庭系列FET 型FET 特点开态Rds（*大）@ Id, Vgs @ 25° C漏*至源*电压(Vdss)电流 - 连续漏*(Id) @ 25° CId 时的 Vgs(th)（*大）闸电荷(Qg) @ Vgs在 Vds 时的输入电容(Ciss)功率 - *大安装类型封装/外壳供应商设备封装包装

FDS6890A

8-SOIC

High Voltage Switches for Power Processing

Cu Wirebond Change 12/Oct/2007 Mold Compound Change 12/Dec/2007

Power MOSFET, 8-SOP, SO-8

2,500

分离式半导体产品

FET - 阵列

PowerTrench®

2 个 N 沟道（双）

逻辑电平门

18 毫欧 @ 7.5A, 4.5V

20V

7.5A

1.5V @ 250µA

32nC @ 4.5V

2130pF @ 10V

900mW

表面贴装

8-SOIC（0.154", 3.90mm 宽）

8-SOICN

带卷 (TR)