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N沟MOSF管IRF1010ZS

地区：广东 深圳
认证： 无

深圳市金广顺科技有限公司

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数据列表产品相片标准包装类别家庭系列FET 型FET 特点开态Rds（*大）@ Id, Vgs @ 25° C漏*至源*电压(Vdss)Id 时的 Vgs(th)（*大）闸电荷(Qg) @ Vgs电流 - 连续漏*(Id) @ 25° C在 Vds 时的输入电容(Ciss)功率 - *大安装类型封装/外壳包装其它名称
IRF1010Z(S/L)
D2PAK Pkg
50
分离式半导体产品
MOSFET，GaNFET - 单
HEXFET®
MOSFET N 通道，金属氧化物
标准型
7.5 毫欧 @ 75A, 10V
55V
4V @ 250µA
95nC @ 10V
75A
2840pF @ 25V
140W
表面贴装
D²Pak，TO-263（2 引线 接片）
管件
8IRF1010ZSPBF
 

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品牌/商标

IR/国际整流器

型号/规格

IRF1010ZS

种类

*缘栅(MOSFET)

沟道类型

N沟道

导电方式

增强型

用途

A/宽频带放大

封装外形

CHIP/小型片状

材料

N-FET硅N沟道

开启电压

55（V）

夹断电压

55（V）

*间电容

2840（pF）

漏*电流

7500（mA）

耗散功率

14000（mW）