N沟MOSF管SI4840DY

地区:广东 深圳
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SO8, N沟MOSFET

数据列表产品相片产品目录绘图标准包装类别家庭系列FET 型FET 特点开态Rds(*大)@ Id, Vgs @ 25° C漏*至源*电压(Vdss)电流 - 连续漏*(Id) @ 25° CId 时的 Vgs(th)(*大)闸电荷(Qg) @ Vgs在 Vds 时的输入电容(Ciss)功率 - *大安装类型封装/外壳供应商设备封装包装
SI4840DY
8-SOIC
DY-T1-(G)E3 Series 8-SOIC
2,500
分离式半导体产品
FET - 单路
TrenchFET®
MOSFET N 通道,金属氧化物
逻辑电平门
9 毫欧 @ 14A, 10V
40V
10A
3V @ 250µA
28nC @ 5V
-
1.56W
表面贴装
8-SOIC(0.154", 3.90mm 宽)
8-SOICN
带卷 (TR)
品牌/商标

其他

型号/规格

SI4840DY

种类

*缘栅(MOSFET)

沟道类型

N沟道

导电方式

增强型

用途

A/宽频带放大

封装外形

SMD(SO)/表面封装

材料

N-FET硅N沟道

开启电压

40(V)

夹断电压

5(V)

漏*电流

0(mA)

耗散功率

0(mW)