N沟MOSF管NDS355N

地区:广东 深圳
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深圳市金广顺科技有限公司

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数据列表产品相片产品培训模块产品变化通告产品目录绘图标准包装类别家庭系列FET 型FET 特点开态Rds(*大)@ Id, Vgs @ 25° C漏*至源*电压(Vdss)电流 - 连续漏*(Id) @ 25° CId 时的 Vgs(th)(*大)闸电荷(Qg) @ Vgs在 Vds 时的输入电容(Ciss)功率 - *大安装类型封装/外壳
NDS355N
SOT-23-3
High Voltage Switches for Power Processing
SMPS Power Switch
Mold Compound Change 07/Dec/2007
Product Discontinuation 09/Sept/2008
SuperSOT-3, SOT-23
3,000
分离式半导体产品
FET - 单路
-
MOSFET N 通道,金属氧化物
逻辑电平门
85 毫欧 @ 1.9A, 10V
30V
1.6A
2V @ 250µA
5nC @ 5V
245pF @ 10V
460mW
表面贴装
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
品牌/商标

其他

型号/规格

NDS355N

种类

*缘栅(MOSFET)

沟道类型

N沟道

导电方式

增强型

用途

A/宽频带放大

封装外形

SMD(SO)/表面封装

材料

N-FET硅N沟道

开启电压

30(V)

夹断电压

5(V)

跨导

0(μS)

*间电容

0(pF)

低频噪声系数

0(dB)

漏*电流

0(mA)

耗散功率

0(mW)