N沟MOSF管BSS123

地区:广东 深圳
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SOT-23 12V-400V, N沟MOSFET

数据列表产品相片产品目录绘图标准包装类别家庭系列FET 型FET 特点开态Rds(*大)@ Id, Vgs @ 25° C漏*至源*电压(Vdss)电流 - 连续漏*(Id) @ 25° CId 时的 Vgs(th)(*大)闸电荷(Qg) @ Vgs在 Vds 时的输入电容(Ciss)功率 - *大安装类型封装/外壳包装供应商设备封装
BSS123
SOT-23-3
SOT-23 MOSFET
3,000
分离式半导体产品
FET - 单路
TrenchMOS™
MOSFET N 通道,金属氧化物
标准型
6 欧姆 @ 120mA, 10V
100V
150mA
2.8V @ 1mA
-
40pF @ 25V
250mW
表面贴装
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
带卷 (TR)
TO-236AB
"
品牌/商标

其他

型号/规格

BSS123

种类

*缘栅(MOSFET)

沟道类型

N沟道

导电方式

增强型

封装外形

CHIP/小型片状

材料

N-FET硅N沟道

开启电压

100(V)

夹断电压

25(V)

跨导

0(μS)

*间电容

0(pF)

低频噪声系数

0(dB)

漏*电流

0(mA)

耗散功率

0(mW)