P沟MOSF管NDS9400

地区:广东 深圳
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SO8, P沟MOSFET

数据列表产品相片产品培训模块产品变化通告产品目录绘图标准包装类别家庭系列FET 型FET 特点开态Rds(*大)@ Id, Vgs @ 25° C漏*至源*电压(Vdss)电流 - 连续漏*(Id) @ 25° CId 时的 Vgs(th)(*大)闸电荷(Qg) @ Vgs在 Vds 时的输入电容(Ciss)功率 - *大安装类型封装/外壳供应商设备封装包装
NDS9400A
8-SOIC
High Voltage Switches for Power Processing
SMPS Power Switch
Mold Compound Change 12/Dec/2007
Product Discontinuation 09/Sept/2008
Power MOSFET, 8-SOP, SO-8
2,500
分离式半导体产品
FET - 单路
-
MOSFET P 通道,金属氧化物
逻辑电平门
130 毫欧 @ 1A, 10V
30V
3.4A
2.8V @ 250µA
25nC @ 10V
350pF @ 10V
1W
表面贴装
8-SOIC(0.154", 3.90mm 宽)
8-SOICN
带卷 (TR)
品牌/商标

其他

型号/规格

NDS9400

种类

*缘栅(MOSFET)

沟道类型

P沟道

导电方式

增强型

封装外形

SMD(SO)/表面封装

材料

P-FET硅P沟道

漏*电流

0

跨导

0

开启电压

30

夹断电压

0

低频噪声系数

0

*间电容

0

耗散功率

0