N沟MOSF管IRFZ46NS

地区:广东 深圳
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数据列表产品相片产品目录绘图标准包装类别家庭系列FET 型FET 特点开态Rds(*大)@ Id, Vgs @ 25° C漏*至源*电压(Vdss)Id 时的 Vgs(th)(*大)闸电荷(Qg) @ Vgs电流 - 连续漏*(Id) @ 25° C在 Vds 时的输入电容(Ciss)功率 - *大安装类型封装/外壳包装产品目录页面其它名称
IRFZ46NSPbF, IRFZ46NLPbF
D2PAK Pkg
D2Pak Side
800
分离式半导体产品
MOSFET,GaNFET - 单
HEXFET®
MOSFET N 通道,金属氧化物
标准型
16.5 毫欧 @ 28A, 10V
55V
4V @ 250µA
72nC @ 10V
53A
1696pF @ 25V
3.8W
表面贴装
D²Pak,TO-263(2 引线 接片)
带卷 (TR)
1375 (CN091-10 PDF)
IRFZ46NSTRLPBF-ND
IRFZ46NSTRLPBFTR
品牌/商标

ZET英国XETEX

型号/规格

IRFZ46NS

种类

*缘栅(MOSFET)

沟道类型

N沟道

导电方式

增强型

用途

A/宽频带放大

封装外形

LLCC/无引线陶瓷片载

材料

N-FET硅N沟道

开启电压

55(V)

夹断电压

55(V)

*间电容

1696(pF)

漏*电流

280(mA)

耗散功率

380(mW)