MOSFET管IRF830PBF

数据列表产品相片产品目录绘图标准包装类别家庭系列FET 型FET 特点开态Rds（*大）@ Id, Vgs @ 25° C漏*至源*电压(Vdss)电流 - 连续漏*(Id) @ 25° CId 时的 Vgs(th)（*大）闸电荷(Qg) @ Vgs在 Vds 时的输入电容(Ciss)功率 - *大安装类型封装/外壳供应商设备封装包装

IRF830PBF

TO-220AB PKG

IR(F,L)x Series Side 1
IR(F,L)x Series Side 2

1,000

分离式半导体产品

FET - 单路

-

MOSFET N 通道，金属氧化物

标准型

1.5 欧姆 @ 2.7A, 10V

500V

4.5A

4V @ 250µA

38nC @ 10V

610pF @ 25V

74W

通孔

TO-220-3

TO-220AB

管件

品牌/商标

IR/国际整流器

型号/规格

IRF830PBF

种类

*缘栅(MOSFET)

沟道类型

N沟道

导电方式

增强型

封装外形

P-DIT/塑料双列直插

材料

N-FET硅N沟道

开启电压

500（V）

夹断电压

10（V）

跨导

0（μS）

*间电容

0（pF）

低频噪声系数

0（dB）

漏*电流

0（mA）

耗散功率

0（mW）

供应MOSFET管IRF830PBF