N沟MOSF管FDN357*SS138

地区:广东 深圳
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SOT-23 12V-400V, N沟MOSFET

数据列表产品相片产品培训模块产品变化通告产品目录绘图标准包装类别家庭系列FET 型FET 特点开态Rds(*大)@ Id, Vgs @ 25° C漏*至源*电压(Vdss)电流 - 连续漏*(Id) @ 25° CId 时的 Vgs(th)(*大)闸电荷(Qg) @ Vgs在 Vds 时的输入电容(Ciss)功率 - *大安装类型封装/外壳包装供应商设备封装产品目录页面其它名称
FDN357N
SOT-23-3
High Voltage Switches for Power Processing
Mold Compound Change 07/Dec/2007
Mold Compound Change 08/April/2008
SuperSOT-3, SOT-23
3,000
分离式半导体产品
FET - 单路
-
MOSFET N 通道,金属氧化物
逻辑电平门
60 毫欧 @ 2.2A, 10V
30V
1.9A
2V @ 250µA
5.9nC @ 5V
235pF @ 10V
460mW
表面贴装
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
带卷 (TR)
3-SSOT
1554 (CN2010-11 Interactive)
1554 (CN2010-11 PDF)
FDN357NTR
品牌/商标

其他

型号/规格

FDN357*SS138

种类

*缘栅(MOSFET)

沟道类型

N沟道

导电方式

增强型

封装外形

SMD(SO)/表面封装

材料

N-FET硅N沟道

开启电压

30(V)

夹断电压

10(V)

跨导

0(μS)

*间电容

0(pF)

低频噪声系数

0(dB)

漏*电流

0(mA)

耗散功率

0(mW)