P沟MOSF管IRFR9310

TO-252(D-PARK) 12V-400V, P沟MOSFET

数据列表产品相片标准包装类别家庭系列FET 型FET 特点开态Rds（*大）@ Id, Vgs @ 25° C漏*至源*电压(Vdss)电流 - 连续漏*(Id) @ 25° CId 时的 Vgs(th)（*大）闸电荷(Qg) @ Vgs在 Vds 时的输入电容(Ciss)功率 - *大安装类型封装/外壳包装供应商设备封装

IRFR9310, IRFU9310

IRFS4228TRLPBF

3,000

分离式半导体产品

FET - 单路

-

MOSFET P 通道，金属氧化物

标准型

7 欧姆 @ 1.1A, 10V

400V

1.8A

4V @ 250µA

13nC @ 10V

270pF @ 25V

50W

表面贴装

TO-252-3, DPak (2 引线接片), SC-63

管件

*

品牌/商标

IR/国际整流器

型号/规格

IRFR9310

种类

*缘栅(MOSFET)

沟道类型

P沟道

导电方式

增强型

用途

CC/恒流

封装外形

P-DIT/塑料双列直插

材料

GE-P-FET锗P沟道

开启电压

400（V）

夹断电压

4（V）

跨导

13（μS）

*间电容

270（pF）

低频噪声系数

13（dB）

漏*电流

180（mA）

耗散功率

50000（mW）

类型

其他IC