N沟MOSF管IRFR110

地区:广东 深圳
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数据列表产品相片产品目录绘图标准包装类别家庭系列FET 型FET 特点开态Rds(*大)@ Id, Vgs @ 25° C漏*至源*电压(Vdss)Id 时的 Vgs(th)(*大)闸电荷(Qg) @ Vgs电流 - 连续漏*(Id) @ 25° C在 Vds 时的输入电容(Ciss)功率 - *大安装类型封装/外壳包装产品目录页面其它名称
IRFR110, IRFU110
IRFR110TRPBF
IR(F,L)Z Series Side 1
IR(F,L)Z Series Side 2
2,000
分离式半导体产品
MOSFET,GaNFET - 单
-
MOSFET N 通道,金属氧化物
标准型
540 毫欧 @ 2.6A, 10V
100V
4V @ 250µA
8.3nC @ 10V
4.3A
180pF @ 25V
2.5W
表面贴装
DPak, SC-63,TO-252(2引线 接片)
带卷 (TR)
1380 (CN091-10 PDF)
IRFR110PBFTR
"
品牌/商标

ZET英国XETEX

型号/规格

IRFR110

种类

*缘栅(MOSFET)

沟道类型

N沟道

导电方式

增强型

用途

CHOP/斩波、限幅

封装外形

SMD(SO)/表面封装

材料

P-FET硅P沟道

开启电压

100(V)

夹断电压

100(V)

*间电容

180(pF)

漏*电流

430(mA)

耗散功率

250(mW)