N沟MOSF管FDS6680A

SO8, N沟MOSFET

数据列表产品相片产品培训模块产品变化通告标准包装类别家庭系列FET 型FET 特点开态Rds（*大）@ Id, Vgs @ 25° C漏*至源*电压(Vdss)电流 - 连续漏*(Id) @ 25° CId 时的 Vgs(th)（*大）闸电荷(Qg) @ Vgs在 Vds 时的输入电容(Ciss)功率 - *大安装类型封装/外壳包装供应商设备封装

FDS6680A

8-SOIC

High Voltage Switches for Power Processing SMPS Power Switch

Cu Wirebond Change 12/Oct/2007 Mold Compound Change 12/Dec/2007

2,500

分离式半导体产品

FET - 单路

PowerTrench®

MOSFET N 通道，金属氧化物

逻辑电平门

9.5 毫欧 @ 12.5A, 10V

30V

12.5A

3V @ 250µA

23nC @ 5V

1620pF @ 15V

1W

表面贴装

8-SOIC（0.154", 3.90mm 宽）

带卷 (TR)

8-SOICN

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