N沟MOSF管SI4410DY

数据列表产品相片产品目录绘图标准包装类别家庭系列FET 型FET 特点开态Rds（*大）@ Id, Vgs @ 25° C漏*至源*电压(Vdss)电流 - 连续漏*(Id) @ 25° CId 时的 Vgs(th)（*大）闸电荷(Qg) @ Vgs在 Vds 时的输入电容(Ciss)功率 - *大安装类型封装/外壳供应商设备封装包装

SI4410DYPbF

8-SOIC

IR Hexfet 8-SOIC

4,000

分离式半导体产品

FET - 单路

HEXFET®

MOSFET N 通道，金属氧化物

逻辑电平门

13.5 毫欧 @ 10A, 10V

30V

10A

1V @ 250µA

45nC @ 10V

1585pF @ 15V

2.5W

表面贴装

8-SOIC（0.154", 3.90mm 宽）

8-SO

带卷 (TR)