N沟MOSF管IRFR024N

地区:广东 深圳
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TO-252(D-PARK) 20V-800V, N沟

数据列表产品相片产品目录绘图标准包装类别家庭系列FET 型FET 特点开态Rds(*大)@ Id, Vgs @ 25° C漏*至源*电压(Vdss)电流 - 连续漏*(Id) @ 25° CId 时的 Vgs(th)(*大)闸电荷(Qg) @ Vgs在 Vds 时的输入电容(Ciss)功率 - *大安装类型封装/外壳包装供应商设备封装
IRF(R,U)024NPbF
TO-252-2
IR Hexfet DPak
2,000
分离式半导体产品
FET - 单路
HEXFET®
MOSFET N 通道,金属氧化物
标准型
75 毫欧 @ 10A, 10V
55V
17A
4V @ 250µA
20nC @ 10V
370pF @ 25V
45W
表面贴装
TO-252-3, DPak (2 引线 接片), SC-63
带卷 (TR)
D-Pak

MOSFET

品牌/商标

其他

型号/规格

IRFR024N

种类

*缘栅(MOSFET)

沟道类型

N沟道

导电方式

增强型

用途

A/宽频带放大

封装外形

SMD(SO)/表面封装

材料

GE-N-FET锗N沟道

开启电压

55(V)

夹断电压

25(V)