N沟MOSF管NDT3055L。FAIRCHILD

地区:广东 深圳
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SOT-223, N沟MOSFET

数据列表产品相片产品培训模块产品目录绘图标准包装类别家庭系列FET 型FET 特点开态Rds(*大)@ Id, Vgs @ 25° C漏*至源*电压(Vdss)电流 - 连续漏*(Id) @ 25° CId 时的 Vgs(th)(*大)闸电荷(Qg) @ Vgs在 Vds 时的输入电容(Ciss)功率 - *大安装类型封装/外壳包装供应商设备封装
NDT3055L
SOT-223-4
High Voltage Switches for Power Processing
SMPS Power Switch
MOSFET SOT-223 Pkg
2,500
分离式半导体产品
FET - 单路
-
MOSFET N 通道,金属氧化物
逻辑电平门
100 毫欧 @ 4A, 10V
60V
4A
2V @ 250µA
20nC @ 10V
345pF @ 25V
1.1W
表面贴装
TO-261-4, TO-261AA
带卷 (TR)
SOT-223-3
品牌/商标

FAIRCHILD/*童

型号/规格

NDT3055L

种类

*缘栅(MOSFET)

沟道类型

N沟道

导电方式

增强型

封装外形

SMD(SO)/表面封装

材料

IGBT*缘栅比*

开启电压

60(V)

夹断电压

2(V)

跨导

0(μS)

*间电容

0(pF)

低频噪声系数

0(dB)

漏*电流

0(mA)

耗散功率

0(mW)