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N沟MOSF管SI4936ADY

地区：广东 深圳
认证： 无

深圳市金广顺科技有限公司

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SO8, N沟MOSFET

数据列表标准包装类别家庭系列FET 型FET 特点开态Rds（*大）@ Id, Vgs @ 25° C漏*至源*电压(Vdss)电流 - 连续漏*(Id) @ 25° CId 时的 Vgs(th)（*大）闸电荷(Qg) @ Vgs在 Vds 时的输入电容(Ciss)功率 - *大安装类型封装/外壳供应商设备封装包装
SI4936ADY
2,500
分离式半导体产品
FET - 阵列
TrenchFET®
2 个 N 沟道（双）
逻辑电平门
36 毫欧 @ 5.9A, 10V
30V
4.4A
3V @ 250µA
20nC @ 10V
-
1.1W
表面贴装
8-SOIC（0.154", 3.90mm 宽）
8-SOICN
带卷 (TR)
"
品牌/商标

其他

型号/规格

SI4936ADY

种类

*缘栅(MOSFET)

沟道类型

N沟道

导电方式

增强型

封装外形

SMD(SO)/表面封装

材料

N-FET硅N沟道

开启电压

30（V）

夹断电压

3（V）

跨导

0（μS）

*间电容

0（pF）

低频噪声系数

0（dB）

漏*电流

0（mA）

耗散功率

0（mW）