N沟MOSF管IRF7403

地区:广东 深圳
认证:

深圳市金广顺科技有限公司

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数据列表产品相片产品目录绘图标准包装类别家庭系列FET 型FET 特点开态Rds(*大)@ Id, Vgs @ 25° C漏*至源*电压(Vdss)电流 - 连续漏*(Id) @ 25° CId 时的 Vgs(th)(*大)闸电荷(Qg) @ Vgs在 Vds 时的输入电容(Ciss)功率 - *大安装类型
IRF740*bF
8-SOIC
IR Hexfet 8-SOIC
4,000
分离式半导体产品
FET - 单路
HEXFET®
MOSFET N 通道,金属氧化物
逻辑电平门
22 毫欧 @ 4A, 10V
30V
8.5A
1V @ 250µA
57nC @ 10V
1200pF @ 25V
2.5W
表面贴装
品牌

其他

型号

IRF7403

种类

*缘栅(MOSFET)

沟道类型

N沟道

导电方式

增强型

用途

FM/调频

封装外形

SMD(SO)/表面封装

材料

GE-N-FET锗N沟道

开启电压

30(V)

夹断电压

0(V)

跨导

0(μS)

*间电容

0(pF)

低频噪声系数

0(dB)

漏*电流

0(mA)

耗散功率

0(mW)