N沟MOSF管FDB6670S,FAIRCHILD

地区:广东 深圳
认证:

深圳市金广顺科技有限公司

普通会员

全部产品 进入商铺

TO-263(D2-PAK) 12V-400V, N沟MOSFET

类别家庭系列FET 型FET 特点开态Rds(*大)@ Id, Vgs @ 25° C漏*至源*电压(Vdss)电流 - 连续漏*(Id) @ 25° CId 时的 Vgs(th)(*大)闸电荷(Qg) @ Vgs在 Vds 时的输入电容(Ciss)功率 - *大安装类型封装/外壳包装供应商设备封装
分离式半导体产品
FET - 单路
PowerTrench®
MOSFET N 通道,金属氧化物
逻辑电平门
6.5 毫欧 @ 40A, 10V
30V
80A
3V @ 250µA
33nC @ 5V
2440pF @ 15V
68W
表面贴装
TO-263-3, D²Pak (2 引线 接片), TO-263AB
带卷 (TR)
D²PAK
品牌/商标

FAIRCHILD/*童

型号/规格

FDB6670S

种类

*缘栅(MOSFET)

沟道类型

N沟道

导电方式

增强型

用途

CC/恒流

封装外形

SMD(SO)/表面封装

开启电压

10(V)

夹断电压

30(V)

跨导

0(μS)

*间电容

2440(pF)

低频噪声系数

0(dB)

漏*电流

800(mA)

耗散功率

6000(mW)