原装ON仙童HGTG5N120BND 21A 1200V IGBT晶体管

原装ON仙童HGTG5N120BND 21A 1200V IGBT晶体管

产品种类: IGBT晶体管

封装: TO-247

集电极—发射极最大电压 Vceo: 1200 V

集电极—射极饱和电压: 2.45 V

栅极/发射极最大电压: 20 V

集电极电流 Ic: 21 A

栅极—射极漏泄电流: +/- 250 nA

工作温度: -55℃——+150℃

Pd-功率耗散: 167 W

总栅极电荷：53 nC

IGBT晶体管HGTG5N120BND是具有MOSFET的高输入阻抗和低的导通态传导损耗双极晶体管，

适用于多种高压开关在中等频率工作的应用中，如：交/直流电动机控制，电源和驱动电磁阀，继电器。