vishay威世贴片N沟道MOSFET IRF840ASTRLPBF

vishay威世贴片N沟道MOSFET IRF840ASTRLPBF 500V

产品种类: N沟道MOSFET

封装: TO-263

晶体管类型: 1 N-Channel

Vds-漏源极击穿电压: 500 V

Id-连续漏极电流: 8 A

Rds On-漏源导通电阻: 0.85 Ohms

Vgs - 栅极-源极电压: 30 V

Qg-栅极电荷: 38 nC

工作温度: - 55℃——+ 150℃

Pd-功率耗散: 125 W

N沟道MOSFET IRF840ASTRLPBF具有低栅极电荷，低漏源导通电阻，改进的dv/dt能力的特点，广泛应用于开关模式电源，不间断电源和高速电源开关中。