ON原装FDA59N30 500V大功率N沟道MOSFET

ON原装FDA59N30 500V大功率场效应MOSFET管

产品种类: N沟道MOSFET

封装: TO-3P

晶体管类型: 1 N-Channel

Vds-漏源极击穿电压: 300 V

Id-连续漏极电流: 59 A

Rds On-漏源导通电阻: 56 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压: 30 V

Qg-栅极电荷: 77 nC

工作温度: - 55℃——+ 150℃

Pd-功率耗散: 500 W

N沟道MOSFET FDA59N30具有低栅极电荷，低漏源导通电阻，快速开关，100 ％雪崩测试和改进dv/dt能力的特点，能承受高能量脉冲雪崩和换流模式，该器件非常适用于开关模式电源和有源功率因数校正。